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中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种可调型电子设备恒电压梯度保护器
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 可调型 电子设备 恒电压 梯度保护器
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2024/1/12
本实用新型涉及一种可调型电子设备恒电压梯度保护器，该电压梯度保护器是由内置电源、供电测试模块、高低压同步转换模块、显示模块、高压继电器、低压继电器，高压压敏电阻、低压压敏电阻，高压电压比较器和低压电压比较器组成，该保护器桥接于外界电源和用电设备之间，外界电源电压稳定在电压梯度内时保证用电设备正常工作。当外界电源电压过低时，低压压敏电阻发生变化，导致低压电压比较器发生反转，显示模块中的低压信号指示灯...
中国科学院微电子所在多模态三维神经形态计算领域取得重要进展（图）
三维神经 形态计算 微电子
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2024/2/28
微电子所重点实验室刘明院士团队设计了一种新的3D垂直RRAM阵列，其中不同层器件分别具有非易失性和易失性，这使得它能够构建多模态神经形态计算网络。第1层器件（字线：TiN）和第2层器件（字线：Ru）分别表现出不同的动态特性，可以用于构建多时间尺度储备池计算网络；第3层器（WL：W）表现出了多比特存储的非易失特性，可用于构建卷积神经网络和全连接网络等。第1层和第2层器件构建的多时间尺度储备池计算网络...
中国科学院微电子所在CAA结构的3D DRAM研究领域取得重要进展（图）
结构 器件 晶体管
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2024/2/28
DRAM是存储器领域最重要的分支之一。随着尺寸微缩，1T1C结构DRAM的存储电容限制问题愈发显著，导致传统1T1C-DRAM面临微缩挑战。基于铟镓锌氧（IGZO）晶体管的2T0C-DRAM有望克服1T1C-DRAM的微缩挑战，在3D DRAM方面发挥更大的优势。但现阶段研究工作都基于平面结构的IGZO器件，形成的2T0C单元尺寸（大约20F2）比相同特征尺寸下的1T1C单元尺寸（6F2）大很多，...
中国科学院微电子所在三维铁电存储器噪声特性应用方面取得进展（图）
芯片 集成 微电子
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2024/2/29
传统贝叶斯机面临三大挑战：一是需要高质量的随机源生成具有真随机性的随机比特数流；二是由于随机变量随着问题的规模和复杂度的增加而增加，因此需要高密度的存储器；三是存储器和随机源的分离，导致了芯片面积和功耗的浪费。
中国科学院物理研究所博士生导师刘永昌研究员（图）
中国科学院物理研究所 博士生导师 研究员 自旋电子学材料 物理及器件
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2024/1/10
刘永昌（Yong-Chang LAU），马来西亚籍华裔，特聘研究员，博士生导师。2016年博士毕业于爱尔兰都柏林圣三一学院物理系。2016年至2019年在日本东京大学和物质材料研究机构（NIMS）进行博士后研究并获选为日本学术振兴会外国人特别研究员。2019年至2021年在日本东北大学金属材料研究所任特任助理教授，2021年11月加入物理研究所怀柔研究部HM-03组。
宁波材料所在sp2碳共轭有机框架聚合物新材料设计制备方面取得重要进展（图）
有机框架 聚合物 半导体材料
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2024/1/16
二维共价有机框架（2D COFs）聚合物作为新一代有机半导体材料，具有可调的光电性质、开放的纳米孔道和丰富的活性位点，在光电催化、能源转换和有机电子等领域展现出广阔的应用前景。特别是碳碳双键连接的共价有机框架聚合物（sp2c-COFs）凭借其拓展的π共轭、优异的稳定性和高载流子迁移率等特性，成为COFs领域研究前沿方向。然而，有限的成键化学、较高的反应势垒和较差的可逆性导致sp2c-COFs合成困...
本发明涉及一种适用于中温区高稳定负温度系数热敏电阻及制备方法，所述热敏电阻是由Co、Mn、Fe、Zn四种金属元素的氧化物组成，经共沉淀法制备、成型、烧结、切片、烧渗电极、划片和封装，即得到适用于中温区高稳定NTC热敏电阻，该电阻标准电阻（25℃电阻）为50‑180KΩ，材料常数为3990K‑4270K。该热敏电阻器件具有适合中温区应用的标准电阻和材料常数，可用于汽车、空调、...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：基于p‑i‑n结构的位移损伤剂量探测方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 p‑ i‑ n结构 位移损伤 剂量探测
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2024/1/8
本发明涉及一种基于p‑i‑n结构的位移损伤剂量探测方法，该方法包括筛选p‑i‑n结构的探头，探测器参数调整及确认，在不同放射源下获取探测器响应并标定；根据不同放射源对探头材料的非电离能损NIEL，将探测器响应与不同放射源注量或剂量的关系统一成探测器响应与位移损伤剂量的关系；根据实际探测结果确定损伤增强因子。该方法优势在于其探测的物理量是位移损伤剂量，...
本发明涉及一种基于热像素的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法，该方法通过对在轨暗场测试采集到的其中任一幅图进行计算，得到该幅图的背景信号SBG和图像饱和信号Smax，然后统计该幅图中信号灰度值介于2SBG和Smax之间的热像素信号个数，对于单个热像素信号计算其最亮像素的灰度值，统计单个热像素的拖尾信号所占的像素个数，并计算单个热像素所占拖尾像素的灰度值之和，再计算单个热像素信号转移到输出端的转移...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：辐照后互补金属氧化物半导体光子转移曲线和转换增益的测试方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 辐照后 互补金属氧化物 半导体 光子转移曲线 转换增益
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2024/1/5
本发明涉及一种辐照后互补金属氧化物半导体光子转移曲线和转换增益的测试方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、积分球光源、三维样品调整台、样品测试板、互补金属氧化物半导体样品、直流电源和计算机组成，通过调整积分球光源的辐照度和测试软件的积分时间，使两者的乘积为互补金属氧化物半导体的饱和输出，并计算辐照后暗场的平均灰度值和相应的灰度值的时域方差。在亮场条件下，计算辐照后亮场的平均灰度值和相应的灰度值的时...
本发明属于光电器件测试技术领域，涉及一种提高低温光致发光测试精度的实验方法；该方法中涉及装置是由真空罩、防热辐射屏、待测样品、样品架、凸透镜、滤光片、单色仪、入射激光、光致发光、反射激光和探测器组成，利用防热辐射屏出射角大于90度的出射窗口收集待测样品发出的光致发光，从而达到提高光致发光测试精度的目的。本发明具有操作简单、效率高、提高测试精度、节省测试时间等特点。
本发明公开了一种基于三维叠层封装SRAM器件的在轨单粒子翻转甄别系统，该系统由三维叠层封装SRAM器件，电源模块，单粒子翻转数据分析模块组成，三维叠层封装SRAM器件与单粒子翻转数据分析模块连接，电源模块与三维叠层封装SRAM器件连接，所述三维叠层封装SRAM器件为3层‑10层，三维封装SRAM器件中各层之间需对齐，电源模块对三维叠层封装SRAM器件的各层分别供电，单粒子翻转数据分析模...
本发明涉及一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法，该方法包括总剂量效应关联工艺参数确定、晶体管总剂量辐照试验、晶体管电参数退化方程参数提取、不同工艺角晶体管总剂量效应模型生成、不同工艺角电路仿真。该方法的理论基础是晶体总剂量辐射损伤与工艺波动参数相关，总剂量辐射效应与工艺波动存在耦合效应。该方法的优势在于考虑总剂量效应与工艺波动耦合，准确仿真辐射环境工作集成电路特性。
中国科学院半导体所在2D/3D双模视觉处理芯片研制取得新进展（图）
芯片 工业机器人 电路
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2024/2/28
二维（2D）和三维（3D）双模视觉信息在自动驾驶、工业机器人、人机交互等前沿领域具有广泛的应用前景。但是2D和3D两种模式视觉信息在处理方法上存在较大的差异，使得边缘端计算型处理器难以兼顾两种模式的处理需求；同时以深度学习为代表的人工智能算法的计算密集和高数据复用率等特点进一步增加了处理器电路的设计复杂度，导致边缘端实现双模视觉信息智能处理的芯片设计面临大的挑战。
第七届海内外青年学者论坛集成电路科学与工程学院 （产教融合学院）分论坛成功举办
集成电路 青年学者 论坛
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2024/2/4
2023年12月27日下午，南京邮电大学第七届海内外青年学者论坛集成电路科学与工程学院（产教融合学院）分论坛在仙林校区3号学科楼322会议室成功举办。分论坛采取“线上+线下”的方式，共有来自汉堡大学、阿卜杜拉国王科技大学、澳门大学、清华大学、北京大学、南京大学、复旦大学、东南大学、北京邮电大学等海内外知名高校的近二十余位优秀青年学者参加，学院领导、高层次人才代表、团队及系部负责人、青年教师代表、学...