搜索结果: 61-75 共查到“同位素制备技术”相关记录86条 . 查询时间(4.442 秒)
新型乏氧显像剂99Tcm-N4IPA的制备及小鼠体内外乏氧选择性研究
99Tcm 乏氧 硝基咪唑类化合物
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2009/3/30
目的 探求结构简单、易于标记、性能优良的新型乏氧显像剂。方法 用锝标记新型乏氧配体N4IPA（1-（4-硝基咪唑-1-）丙醛羟氨基化合物），用TLC及HPLC法对标记物进行质控，并检测标记物的体外稳定性、脂水分配系数、血液清除情况，最后通过体外细胞摄取实验及荷瘤动物体内分布研究了解标记物在乏氧细胞和肿瘤组织中的聚集情况。结果 标记物的放化纯度>90%,脂水分配系数2.71±0.05（n=3），为亲...
新型脑受体显像剂99mTc- Memantine的制备及药盒化
锝标记 美金刚胺 双氨基乙硫醇类
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2009/3/30
合成了 N-[2-(N-(2-巯基乙基) )氨基甲酰甲基]-N-(2-巯基乙基)- 3，5-二甲基金刚烷胺基乙酰胺（II N2S2- Memantine），对其进行99mTc标记。用氟化亚锡作还原剂，与高锝酸钠盐溶液反应，生成的新型脑受体显像剂I 99mTc（V）- Memantine，优化标记条件，进一步研制了无菌99mTc（V）- Memantine一步法冻干药盒。薄层色谱（TLC）对标记物进...
~(９２)Ｍｏ同位素氧化物靶的制备
同位素 ~(92)MoO_3靶
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2008/10/16
用真空蒸发法、分子镀法和离心沉积法制备９２ Ｍｏ 同位素氧化物靶，介绍了各法的优点、存在的问题和解决途径。
~(99)Mo-~(99m)Tc同位素辐照靶件研制
同位素辐照靶件 旋压
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2008/10/16
本文叙述了用含10％~(235)U燃料棒芯体,研制~(99)Mo-~(99m)Tc同位素辐照靶件的制备工艺。研制工艺分为:将燃料芯体铝包壳用碱溶法减壁厚,芯体切割,压密合,旋压端塞,焊封以及质量检验等工艺。研制出的靶件经入堆考验和同位素分离等实验,证明性能良好,结构合理。为钼-鍀同位素实验研究和生产创造了有利条件。
低温制备气相色谱法分离氢同位素
低温制备 气相色谱
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2008/10/16
介绍了采用低温制备气相色谱法以 Al_2O_3 装填分离柱进行氢同位素分离的装置。研究了氢同位素分离色谱柱(Al_2O_3 分离柱)的制备和操作步骤,并对其分离效果进行了讨论。实验结果表明:经分离、净化后,氘纯度可达99.9％以上。该装置具有结构简单、操作费用低、一次性投资少等优点,在那些对氢同位素纯度要求高,用量小的部门或实验室有良好的应用前景。该装置不仅可用于氢氘分离,还可用于氘氚分离。
电镀方法制备同位素锡靶
制备 电镀方法 锡
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2008/10/16
真空蒸发方法及电镀法制靶的比较在文献[1]中已有简单介绍。我们用电镀方法制备了锡靶,得到的厚度为1—10 mg/cm~2,效率好于80％。 制靶采用的电镀和工业电镀有区别,用料少,镀液浓度低。须经过严格控制条件才能得到好的镀层。
电解法制取少量金属锌同位素
制取 金属锌同位索
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2008/10/16
为了制取少量金属锌同位素,工业上应用的电解法,实验室内小规模的ZnO还原或氢化法都不适用、电解法测定Zn是定量分析Zn的方法之一,是利用阴极上所析出的Zn称量而得,所用的阴极材料可以是Cu、Ag或Ni,析出的Zn灰色无光泽,除了用酸溶解外无法从电极上取下。我们改变了介质体系和电极材料,并试验了制备条件,为制
短寿命医用同位素~(167)Tm的制备
制备 同位素铥
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2008/10/16
99％,适合医用。估计产额(10—20)μCi/μA·h。本工作结果可与国外近期同类工作的水平相比。
高温固态催化同位素交换法制备氚化氨基酸
制备 同位素 高温固态 催化
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2008/10/16
高温固态催化同位素交换法为制备具有生物活性的高放射性比活度的氚标记有机化合物提供了新的途径。本工作利用该法制备了高放射性比活度的氨基酸。
镍同位素自支撑靶的制备
制备 同位素镍
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2008/10/16
一、前言 大多数元素都可用真空沉积技术做成核靶,但真空沉积收集效率较低,用真空蒸发法制备1 mg/cm~2以上的靶是不容易的。镍的熔点和沸点很高(1450℃和2732℃),它的蒸汽压非常低;当用W或Ta做坩埚蒸发镍时,会因形成合金的反应而迅速使坩埚崩解,每次蒸发的量必须小于坩埚重量的30％,所以用真空蒸发法制备每厘米~2毫克量级的镍靶就很困难了。
文章介绍２４ＭｇＯ转换成金属小球的还原技术以及同位素Ｍｇ靶的３种制备方法，即滚轧法、电阻加热法和聚焦重离子溅射法。滚轧法适用于制备＞０．１５ｍｇ／ｃｍ２的自支撑２４Ｍｇ靶，而后２种方法主要用来制作有衬底靶。
同位素Ni靶膜制备工艺研究
制备 同位素Ni 电沉积
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2008/10/16
对同位素Ｎｉ靶的制备工艺进行了研究。通过对电沉积过程中影响靶膜生长质量的因素与靶膜厚间的关系实验，确定出了最佳制备工艺条件。用最佳工艺条件制备出了品质优良的大面积Ｎｉ同位素自支撑靶膜。
同位素靶制备技术的研究
制备 同位素靶
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2008/10/15
系统地介绍了同位素靶的制备技术，包括核靶的制备手段（真空蒸发、聚焦重离子束溅射、滚轧、电镀、离心沉淀），同位素化合物还原工艺（还原蒸馏、电解还原）和核靶的贮存方法（干燥法、抽真空法、低温干燥法）。
介绍了同位素铁靶的制备技术 ,包括氧化铁的还原、铁粉的熔化和铁靶的制备。采用聚焦束溅射和滚轧制备技术能获得自支撑56Fe靶的最小厚度分别为 5 0和 3 60 μg/cm2 。
同位素自支撑钙靶的制备
制备 自支撑钙靶
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2008/10/15
Ca是一种活泼金属,遇水会发生强烈反应;同位素Ca往往以CaO或CaCO_3形式存在,而CaO在1500℃左右的高温下才能还原成金属Ca。由于这两点原因,制备同位素自支撑Ca靶是比较困难的。我们用玻璃作基衬,采用新的去气方法,制成了0.6—1mg/cm~2的同位素自支撑Ca靶。