搜索结果: 91-105 共查到“等离子体光谱学”相关记录115条 . 查询时间(1.82 秒)
室温下，先用120keV的C离子注入二氧化硅薄膜样品至剂量2.0×1017、5.0×1017或8.6×1017ions/cm2，再用950MeV的Pb离子分别辐照至剂量5.0×1011、1.0×1012或3.8×1012 ions/cm2，然后测量样品的傅里叶变换红外(FTIR)光谱. 通过分析测量得到的傅里叶变换红外谱，发现Pb离子辐照在注碳SiO2样品中可引起大量的Si－C和Si (C)－O－...
快离子辐照损伤能深度分布理论计算
分布理论 辐照损伤能 快离子
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2009/6/12
本文描述了一个用于计算快离子在无定形结构靶材料中引起的损伤能量分布的计算程序HEDEP-1.程序中采用了I.Manning等发展的近似计算方法,在处理入射离子与靶原子碰撞过程中考虑了核力影响,在电子阻止本领计算中选用了最新发表的J.F.Ziegler等数据.程序适用的能量范围是较宽的,从L.S.S.能区一直延伸到弹-核系统的库仑势垒以上,可以计算单质和多至四种元素组成的均匀靶材料.
使用二次离子质谱仪分析了附加的空位型缺陷对单晶Si中注入B原子热扩散的影响. Si中B原子是通过30keV B离子室温注入而引入的, 注入剂量为2×1014cm－2. Si中附加的空位型缺陷通过两种方式产生: 一是采用40或160keV He离子注入单晶Si到剂量5×1016cm－2,并经800°C退火1h; 二是采用0.5MeV F或O离子辐照单晶Si到剂量5×1015cm－2.结果显示, 不同...
离子辐照对单晶Si中预注入B原子扩散的影响
注入 瞬间增强扩散 二次离子质谱仪 单晶Si
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2009/6/12
室温下使用MeV能量级Si,F和O离子对5keV B离子预注入后的n-型单晶Si(100)进行了辐照,应用二次离子质谱仪测试分析了掺杂物B原子的分布剖面及其变化.结果表明,高剂量Si,F和O离子的附加辐照可以抑制热激活退火中B原子发生的瞬间增强扩散.在相同的辐照条件下,Si近表面区域中SiO2层的存在更有助于限制B原子的瞬间增强扩散.结合卢瑟福沟道背散射分析和DICADA程序计算对实验结果进行了讨...
电子助进化学气相沉积金刚石中衬底温度对发射光谱的影响
电子助进化学气相沉积 金刚石 蒙特卡罗模拟 发射光谱 衬底温度
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2009/5/5
采用蒙特卡罗方法，对以CH4/H2为源料气体的电子助进化学气相沉积(EACVD)金刚石中的氢原子(Hα,Hβ和Hγ)、碳原子C(2p3s→2p2: λ=165.7 nm)以及CH(A2Δ→X2Π: λ=420～440 nm)的发射过程进行了模拟，研究了衬底温度对各发射谱线以及金刚石膜合成的影响。结果得知，各谱线强度随衬底温度的变化幅度很小，且在衬底表面附近的谱线强度随衬底温度的变化幅度相对于远离衬...
电子助进化学气相沉积金刚石中的光发射谱特性
电子助进化学气相沉积 金刚石 蒙特卡罗模拟 发射光谱
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2009/5/5
采用蒙特卡罗方法，对以CH4/H2为源料气体的电子助进化学气相沉积(EACVD)金刚石中的氢原子(Hα, Hβ, Hγ)、碳原子C(2p3s2p2∶λ=165.7 nm)以及CH(A2Δ→X2Π∶λ=420～440 nm)的光发射过程进行了模拟，气体温度随空间的变化采用温度梯度变化，研究了不同反应室气压及衬底温度下的光发射谱特性。结果表明，不同衬底温度下各谱线强度均随气压的增大先增大后减小； 当气...
电子助进化学气相沉积金刚石中发射光谱的空间分布
电子助进化学气相沉积 金刚石 空间分布 发射光谱
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2009/5/5
采用蒙特卡罗方法，对以CH4/H2为源料气体的电子助进化学气相沉积(EACVD)金刚石中的氢原子(Hα,Hβ,Hγ)、碳原子C(2p3s→2p2：λ=165.7 nm)以及CH(A2Δ→X2Π：λ＝420～440 nm)的发射过程进行了模拟，研究了不同CH4浓度下各发射谱线的空间分布。结果表明，不同CH4浓度下各发射谱线在反应空间的大部分区域内均随距灯丝距离的增大而增大，而当到达基片表面附近时有所...
在乙醇与水体积比为1∶1的混合溶剂中将工业级染料耐晒蓝(FRL)用重结晶法提纯，提纯后的FRL用亚硝酸钠(NaNO2)进行重氮化，再与邻菲咯啉(Phen)进行偶合，得到改性耐晒蓝(FRLP)。FRLP与Cu2+反应形成配合物。利用退色分光光度法结合等摩尔连续变化法测定Cu2+与FRLP的组成，在pH 6～9的条件下得到1∶2的配合物。在pH 8.8的B-R缓冲溶液中测得该配合物的摩尔吸光系数ε59...
薄膜材料微加工是微纳技术、微机电系统、光电子领域的核心技术。文章提出了针对薄膜加工时缺乏有效的质量控制手段，应用激光诱导等离子体(LIBS)技术进行过程表征的方法。研究了脉冲激光微加工过程中等离子体量与激发条件的关系。得出了在低频(＜20 Hz)和在确定能量水平条件下, 等离子体量相对稳定，不依赖于脉冲次数。在单脉冲条件下，激发等离子体量随着能量的升高而增加。根据等离子体量和元素类别可实现对微加工...
激光诱导等离子体光谱技术(LIPS)是一种非接触式实时检测技术，将其用于对钢铁成分检测，可满足大型钢铁企业高速化、连续化、自动化生产要求。以波长为1 064 nm的Nd∶YAG调Q固体激光器为激发光源，ICCD为探测器，标准不锈钢1Cr18Ni9Ti系列为样品在建立的LIPS实验装置上对样品中微量金属元素铝、锰、钴、钼和钛的含量进行了测量。实验中通过对ICCD工作的延迟时间和积分时间的合理设置得到...
空气中激光等离子体通道的三次谐波光谱特性研究
三次谐波 等离子体通道 可编程声光色散滤波器
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2009/4/30
对不同条件下强激光在空气中形成等离子体通道的三次谐波光谱特性进行了研究。单脉冲能量12 mJ，脉宽30 fs，重复频率10 Hz，中心波长795 nm的飞秒激光脉冲经0.5 m焦距的凹面镜聚焦，在空气中形成了等离子体通道, 并在前 向观测到谱线半峰全宽（FWHM）为15 nm的三次谐波。随着脉冲啁啾的变化，三次谐波的光谱出现红移或兰移，当激光脉冲附带+1.3×105fs2的二阶色散时，三次谐波谱线...
以高压硝化罐消化样品，利用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法和火焰原子吸收(AAS)法分别测定了扇贝中的Zn，Co，Fe，Mn，Mg，Ca，Cu，K共八种微量元素的含量, 并对两种分析方法进行了分析比较b 结果表明，ICP-AES法和AAS法测定的微量元素无显著性差异, ICP-AES稍优。方法回收率在93.3%～102.8%之间，相对标准偏差均小于1.60%。扇贝含有丰富对人体有益...
闪电放电通道等离子体成分及相关特性的研究
粒子数密度 压强 电离度
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2009/4/29
以无狭缝摄谱仪获得了青海和西藏地区的云对地闪电回击过程的光谱，依据谱线波长和相对强度等信息，结合等离子体相关理论，得到了放电通道温度和电子密度；在此基础上，根据Saha方程、电荷守恒方程和粒子数守恒方程计算了闪电通道主要元素各级电离的离子数密度，进而得到通道质量密度、压强及平均电离度, 并分析了不同强度闪电放电通道的电离度、粒子数密度及其分布特征。结果表明：回击通道接近于完全电离，一次电离离子占主...
四硝基酚臂式氮杂18-冠-6与稀土离子配位性能的研究
四硝基酚臂式氮杂18-冠-6 合成 稀土离子 紫外可见光谱法 配位性能
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2009/4/28
合成并表征了1，10-二氧-4，7，13，16-四氮杂18-冠-6(L1)母体及其硝基酚臂式衍生物(L2)。在H2O-DMSO(φ=1/4)混合溶剂中用UV-Vis光谱法对L2与H+,Ce3+,Nd3+,Sm3+,Eu3+,Gd3+,Tb3+,Dy3+和Yb3+离子的相互作用进行了研究，并测定了配位稳定常数。结果表明，当溶液中pH值由1.85逐渐增大时，冠醚L2的吸收峰位从314 nm处红移；pH...