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Intel展示新材料极紫外光刻走向实用（图）
Intel 极紫外光刻 实用
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2011/10/31
在新式半导体光刻技术中，极紫外光刻(EUV)被认为是最有前途的方法之一，不过其实现难度也相当高，从上世纪八十年代开始探寻至今已经将近三十年，仍然未能投入实用。 极紫外光刻面临的关键挑战之一就是寻找合适的光刻胶(photoresist)，也就是用来在芯片层表面光刻出特定图案的材料。它必须对极紫外辐射非常敏感，这样才能刻出图案，但同时又必须能够抵御随后的蚀刻和其他处理步骤。
Intel宣布全新Atom核心系统芯片
Atom核心 系统 芯片
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2011/10/31
在北京召开的信息技术峰会(IDF)上，Intel又介绍了新的系统芯片(SoC)计划，基于Atom处理器核心。
美光Intel将重启新加坡300mm闪存芯片厂兴建计划
闪存芯片厂 兴建计划
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2011/11/3
据Lazard资本市场公司的分析师DanielAmir预计，美光与Intel的合资闪存公司IMFlash将继续进行新加坡300mm闪存芯片厂的兴建计划。该公司早些时候曾宣布会在新加坡新建这家300mm芯片厂，不过后来公司宣布由于业务方面的原因暂缓执行这项计划。目前IMFlash公司旗下仅在犹他州拥有一间300mm芯片厂。
