搜索结果: 1-15 共查到“凝聚态物理学 芯片”相关记录19条 . 查询时间(0.267 秒)
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南京大学自旋芯片与技术全国重点实验室在磁性外尔半金属超快自旋动力学研究中取得突破进展(图)
磁性 外尔节点 半金属 反常霍尔效应
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2024/4/7
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中国科学院微电子所在铪基铁电存储器芯片研究领域取得重要进展(图)
芯片 晶体 器件
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2024/2/29
基于Zr掺杂HfO2(HZO)材料的铁电存储器有望通过后道工艺进行大规模阵列集成,但仍存在两个关键的优化问题:一方面,HZO的最佳退火温度仍高于后道工艺的热预算限制(为保证前道工艺制备的晶体管及互联金属的可靠性,通常后道工艺的热预算通常被限制在400℃以下);另一方面,对于器件在先进工艺节点中的应用,以及降低器件的写操作功耗,需要降低HZO铁电器件的操作电压。
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芯片上实现光学诱导超导性(图)
芯片 光学诱导 超导性
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2023/12/20
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所等在超导芯片中量子态制备中取得进展(图)
超导芯片 量子态 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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2023/10/17
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“庄子”芯片41超导量子比特模拟“侯世达蝴蝶”拓扑物态(图)
“庄子”芯片 超导量子比特 侯世达蝴蝶 拓扑物态
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2023/9/11
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中国科学院“庄子”芯片41超导量子比特模拟“侯世达蝴蝶”拓扑物态(图)
庄子芯片 超导量子 拓扑物态
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2023/9/12
随着超导量子比特实验技术和其他技术路线体系的快速发展,量子计算领域已进入了含噪声中等规模量子(NISQ)时代。在这样的时代里,超导量子计算力图在多比特集成、长退相干时间和高控制精度等方面取得了更大进展,并利用高精度的量子操作和独立可寻址的状态读出,来模拟和观测那些在真实材料体系中难以实现的各种新奇物理。
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中国科学院理论物理研究所等在超导量子芯片上模拟黑洞的量子效应(图)
超导量子芯片 模拟黑洞 量子效应
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2023/8/3
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2023年4月27日,中国科学院苏州生物医学工程技术研究所马汉彬研究员课题组与广东奥素液芯微纳科技有限公司合作,成功研发出了一套基于大面积薄膜晶体管开关阵列的有源数字微流控平台(Active-Matrix Digital Microfluidics, AM-DMF),并且基于AM-DMF技术实现了单细胞液滴样本的高效生成、操控和片上培养。相关研究成果以 Large-Area Electronics...
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超导量子芯片上“搭积木” 拓扑时间晶体被首次实现(图)
超导量子芯片 拓扑时间晶体 量子模拟
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2022/7/29
半导体量子芯片比特获得高灵敏测量
半导体 量子芯片 量子计算
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2021/5/11
记者5月10日从中国科学技术大学获悉,该校郭光灿院士团队郭国平、曹刚等人与本源量子计算有限公司合作,利用微波超导谐振腔实现了对半导体双量子点的激发能谱测量。相关研究成果日前发表在国际应用物理知名期刊《应用物理评论》上。
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中国科大在微波谐振腔探测半导体量子芯片上取得重要进展(图)
微波谐振腔探测 半导体量子芯片
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2022/11/20
中国科学技术大学科研部郭光灿院士团队在微波谐振腔探测半导体量子芯片上取得重要进展。该团队郭国平、曹刚等人与本源量子计算有限公司合作,利用微波超导谐振腔实现了对半导体双量子点的激发能谱测量。相关研究成果以“Microwave-resonator-detected excited-state spectroscopy”为题,发表在2021年4月28日出版的国际应用物理知名期刊《Physical Rev...
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浙江大学物理系学生在超导量子芯片上成功演示随机错误消除方案(图)
超导量子芯片 随机错误 消除方案
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2021/8/4
2019年9月,浙江大学物理系超导量子计算团队与中国工程物理研究院研究生院、中国科学院自动化研究所的相关团队合作,首次在超导量子芯片上演示了随机错误消除方案。这项研究于当地时间2019年9月6日被《Science Advances》期刊报道。
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2016年10月8日,中国科学院大学未来技术学院生物芯片教研室学科建设研讨会在中国科学院微电子研究所召开。中国科学院微电子研究所副所长周玉梅,中国科学院微电子研究所、中国科学院电子所、中国科学院半导体所、国家纳米中心、大连化物所等单位的近20位专家学者参加了研讨会。会议由中国科学院微电子研究所研究员、生物芯片教研室主任黄成军主持。
半导体量子芯片开发获重要进展
半导体量子芯片开发 中国科学院量子信息重点实验室
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2016/3/4
“量子芯片”是未来量子计算机的“大脑”。中国科学技术大学郭光灿院士领导的中国科学院量子信息重点实验室郭国平研究组,在量子芯片开发领域的一项重要进展,首次在砷化镓半导体量子芯片中成功实现了量子相干特性好、操控速度快、可控性强的电控新型编码量子比特。该成果近日在国际权威杂志《物理评论快报》发表。
国内最高性能IGBT芯片及模块问世
IGBT芯片 性能 电压
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2014/1/9
近日,由中国南车株洲所主持研制的国内最大电压等级、最高功率密度的6500伏高压IGBT芯片及其模块首次向外界亮相,并通过成果鉴定,刷新了1年前该公司自主研制的3300伏IGBT芯片电压等级和功率密度纪录。鉴定专家一致认为,该项目成果总体技术处于国际领先水平,代表了我国功率半导体器件行业IGBT技术的最高水平,具有重大战略意义。