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N2O处理对背沟刻蚀金属氧化物薄膜晶体管性能的影响
金属氧化物半导体 背沟道刻蚀 薄膜晶体管 N2O等离子体
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2022/3/31
通过采用稀土元素镨掺杂铟锡锌氧化物半导体作为薄膜晶体管沟道层，成功实现了基于铝酸的湿法背沟道刻蚀薄膜晶体管的制备。研究了N2O等离子体处理对薄膜晶体管背沟道界面的影响，对其处理功率和时间对器件性能的影响做了具体研究。结果表明，在一定的功率和时间处理下能获得良好的器件性能，所制备的器件具有良好的正向偏压热稳定性和光照条件下负向偏压热稳定性。高分辨透射电镜结果显示，该非晶结构的金属氧化物半导体材料可以...
建立了基于光谱吸收技术的检测系统,用于快速、准确地测量N2O气体浓度。首先,从理论上证明了二次谐波、一次谐波与N2O气体浓度之间的关系;然后,设计了痕量N2O气体浓度检测系统,利用光源调制、锁相放大等技术,实现了强杂波背景下气体浓度弱信号的解析;最后,实验测试了系统的检测性能、抗干扰能力及检测结果的可重复性。测试结果表明,系统能够在0~1%有效检测N2O气体浓度,检测下限为5.0×10-5,相对检...
N2O在142.5-147.5 nm射流冷却吸收光谱揭示的解离动力学
吸收光谱 解离动力学 傅立叶变换 一氧化二氮
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2012/1/5
在射流冷却分子束下， 测量了142.5～147.5 nm N2O分子C1∏态的吸收光谱，观测到清晰的振动序列结构，振动频率间隔约为500 cm-1. 结合理论计算的电子态势能面结构，这个振动序列被标识为解离电子态C1∏的弯曲振动激发. 傅立叶变换得到了相应的轨道周期为65 fs，而通过Lorentzian线型拟合获得了各振动峰对应的能级寿命约为20 fs.
基于室温量子级联激光器的脉内光谱技术测量N2O
量子级联激光器 脉内光谱技术 N2O
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2010/2/3
中红外激光光源覆盖了大量气体的基频吸收带，尤其适合于痕量气体的高灵敏检测。其中具有高输出功率、宽调谐范围、能够在室温工作的量子级联激光器为高灵敏痕量气体检测技术的研究提供了理想的光源。基于脉冲量子级联激光器的脉内光谱技术提供了一种简单而又有效的测量痕量气体的方法。当一个长激发脉冲作用在激光器上时，激光器的频率随着脉冲持续时间的增加而线性减小，从而在单个脉冲上扫描出被测气体分子的特征吸收谱线，实现对...
Total Cross Sections for Electron Scattering on Polyatomic
Molecules (CH4, CO2, NO2, and
N2O) at 10～3000 eV
total cross section additivity rule optical potential model
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2007/8/15
2005Vol.43No.5pp.895-899DOI:
Total Cross Sections for Electron Scattering on Polyatomic
Molecules (CH4, CO2, NO2, and
N2O) at 10～3000 eV
SUN Jin-Feng,1,2 XU Bin,1 LIU Yu-Fang,1 ...