搜索结果: 76-90 共查到“InP”相关记录110条 . 查询时间(0.159 秒)
Full L-band 40-Gbit/s Operation of Compact InP-DQPSK Modulator Module with Low Constant Driving Voltage of 3.5 V pp
Compact InP-DQPSK Modulator Module Constant Driving Voltage
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2015/7/30
Operation at 40 Gbit/s with a constant driving voltage (3.5V pp ) for the entire L-band was demonstrated with a newly developed compact InP-based DQPSK module. A linear DC bias voltage control was emp...
Multi-function Integrated InP-Based Photonic Circuits
Multi-function Integrated Photonic Circuits
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2015/7/30
Although InP-based photonic ICs (PICs) have been researched for many years, widespread acceptance of the viability of such technologies has not occurred until recently. A few relatively new commercial...
用激光微细加工制作平面型InGaAs/InP PIN 光探测器
激光微细加工 单片集成光接收机 PIN光探测器 激光诱导扩散
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2008/3/7
摘要:采用激光微细加工技术来制作单片集成光接收机的探测器，在制作过程中，用固态杂质源10.6 μm激光诱导Zn扩散工艺来进行探测器的p-区掺杂。制作出平面型顶部入射的InGaAs/InP PIN 光探测器，响应度为0.21 A/W。分析了激光诱导扩散中影响探测器性能的因素，因此提出了扩散温度自动控制、扩散区温度分布均匀化及激光焦斑与扩散区精确对准等相应的改进方法。
非致冷Ino．53 Ga0-47 As／InP红外探测器研究
金属有机化学气相沉积 铟镓砷 探测器
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2011/12/7
采用LPMOCVD技术生长了InGaAs红外探测器器件结构材料，其晶格失配为2．19×l0一。利用锌扩散制备探测器单元器件，光谱响应范围为0．90—1．70 m，在1．95V偏压下，暗电流为5．75×10～A，在反向偏压为一5V时，电容为6．96×10 F。探测器波段探测率为2．08×10“cmHz W～。
808 nm InGaAsP-InP单量子阱激光器热特性研究
单量子阱激光器 808 nm InGaAsP-InP 热特性 特征温度
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2007/12/18
从InGaAsP-InP单量子阱激光器结构分析入手，采用自行设计的热封闭系统对808 nm InGaAsP-InP单量子阱激光器热特性进行了研究.实验表明，在23-70℃的温度范围内，器件的功率由1.74 W降到0.51 W，斜率效率由1.08 W/A降到0.51 W/A.实验测得其特征温度T0为325 K.激射波长随温度的漂移dλ/dT为 0.44 nm/℃.其芯片的热阻为3.33℃/W.
应力对M-Z型InP/InGaAsP-EAM偏振
InP/InGaAsP 偏振相关损耗 差分群时延 多量子阱 Stokes模型
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2007/12/8
采用Agilent 81910A光子全参量测试仪,首次实验研究了InP/In1－xGaxAs1－yPy-MQW（Multiple-Quantum-Well,MQW）材料与衬底间因应力而产生的M-Z型光调制器的PDL影响以及由此引起的由差分群时延(Differential Group Delay,DGD)表征的偏振模色散(Polarization Mode Dispersion,PMD).研究结果表...
GaAs与InP半导体光导开关特性实验研究
光导开关 砷化镓 磷化铟 化合物半导体
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2007/12/8
利用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)及其掺杂材料制作的光导开关具有很好的时间响应及高功率输出特性.比较了这两种材料制作的不同电极间隙类型的光导开关的开关时间响应速度、导通光能与饱和触发激光能量、线性与非线性工作模式及触发稳定性等特性.结果表明,利用InP和GaAs两种材料制作的光导开关都具有达到皮秒级的超快时间响应,其对时间最佳响应与偏置电场有关.两种开关的多次触发时间...
制备工艺对InP/SiO2纳米膜性能的影响
InP/SiO2纳米复合膜 化学组分 微观结构
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2007/10/26
文章摘要：
应用射频磁控共溅射方法，分别在InP薄片与磁控靶底座紧接触（方法1）和InP薄片放在石英靶表面（方法2）两种情况下制备了InP/SiO2复合薄膜，并分别在高纯H2中和在P气氛中对薄膜进行了热处理。X 射线光电子能谱表明，对于用方法1制备的复合膜，其SiO2中的氧缺位、P 和In 的氧化物的含量都比用方法2 的少得多。X射线和卢瑟福背散射实验结果表...
InP(001)基衬底上自组织生长InAs量子点（线）的光学性质研究
材料科学基础学科 InAs自组织量子点(线
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2007/10/26
文章摘要：
在InP（001）基衬底上用分子束外延方法生长InAs纳米结构材料，通过衬底的旋转与否及混合生长模式，得到了两种InAs量子点和量子线，并研究了量子点、线的光学性质。结果表明，两种方式都可生长出较强发光的量子点（线）；由量子点排列构成的量子线的光致发光光谱呈现出多峰结构，分析和理论计算表明这是InAs量子线上各量子点在垂直方向上不同高度分布和非连...
人工欧泊填充InP后的形貌和反射谱特性
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2007/8/20
制备了人工opal晶体模板,运用MOCVD方法在SiO2人工opal球体间填充了高折射率的InP晶体,选择了MOCVD生长InP的有关参数.样品扫描电子显微镜及反射谱结果检测显示,InP晶体在二氧化硅间隙中的生长是均匀的,具有较好的结晶质量;高介电常数的InP的填充使人工欧泊光子晶体的光子禁带效应增强,反射峰移向长波长区.光学特性检测结果与理论计算值得到较好的符合.
期刊信息
篇名
1.78μm strained InGaAs-InGaAsP -InP distributed feedback quantum well lasers
语种
英文
撰写或编译
作者
Shurong Wang,Wang hui,Wang baojun,Zhu Hongliang,Zhang jing,Ding ying,Zhao lingjuan,Zhou fan,Wang luf...
InGaAs/InP APD探测器光电特性检测
静态光电特性的自动测试系统 雪崩光电二极管 大面积APD 倍增因子
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2012/4/17
建立了雪崩二极管的静态光电特性的自动测试系统。利用该系统对光敏面的直径为500μm的台面型InGaAs/InP雪崩光电二极管(APDs)进行测试。测试结果表明，该APD器件在90%击穿电压下的暗电流为151 nA，在直径500 mm的光敏面上其光响应均匀性良好。提出一种测量雪崩二极管倍增因子的方法，只需利用普通的测量电流-电压的测试仪器，就可以获得开始倍增时的光电流，从而得到APD的倍增因子。通过...
Effect of In content of the buffer layer on crystalline quality and electrical property of In0.82Ga0.18As/InP grown by LP-MOCVD
In0.82Ga0.18As Buffer layer MOCVD
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2011/12/15
The In0.82Ga0.18As grown on InP (1 0 0) substrates by low pressure metalorganic chemical vapor deposition (LP-MOCVD) with twostep growth method was investigated. It was analyzed that the effect of In ...
Optical and Electrical Properties of Te Doped AlGaAsSb/AlAsSb Bragg Mirrors on InP
Semiconductor Bragg mirror AlGaAs/AlAsSb
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2010/10/13
We present a comparative study carried out on the optical and electrical characteristics of undoped and Te doped AlGaAsSb/AlAsSb Bragg mirrors with 6.5 pairs of layers and bulk undoped and Te doped Al...
Evidence of the Miniband Formation in InGaAs/InP Superlattices
Superlattices Plasmons Raman scattering
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2010/9/25
The formation of the miniband electron energy structure was explored in doped InGaAs=InP superlattices with different periods. The analysis of the Raman data allowed us to conclude that in spite of th...