搜索结果: 76-83 共查到“知识库 高分子液晶材料”相关记录83条 . 查询时间(3.187 秒)
摘要 以非离子表面活性剂十二烷基醇聚氧乙烯醚(AEO-9)/正丁醇/正辛烷/水组成的四元体系为研究对象，绘制了拟三元相图。在液晶区选取样品点，拍摄纹理照片，并结合^2HNMR谱图确定了液晶类型其中主要是状液晶。利用小角X射线衍射测定了层状液晶的层间距d，得到层间距d和液晶含水量的关系。根据层状液晶结构的特点，推导出层状液晶组成方程，并对本体系进行了验证。结果表明，根据议程计算出的液晶区域的开头和位...
摘要 50℃下, 测定了双十八烷基二甲基氯化铵DODMAC/n-C10H21OH/10%n-C10H22/H2O四元体系相图, 确定了液晶区域范围, 用2H NMR方法, 并辅以偏光显微镜照片, 确定了液晶为反相六角状, 用SAXS求出了液晶晶面间距, 确定了晶面间距d1与含水量fw/(1-fw)之间的线性关系, 并求得圆柱形聚集体的直径ds=4.035nm.
Mo原子溅射能量对Mo/Si薄膜晶相的影响
<
2007/12/18
摘要 用磁控溅射法制备了Mo/Si薄膜，用AFM和XRD分别研究了Mo原子的溅射能量不同时，Mo/Si薄膜表面形貌和晶相的变化。通过比较发现，随着Mo原子溅射能量的增大，Mo/Si薄膜表面粗糙度增加，Mo和Si的特征X射线衍射峰也越来越强，并且Mo膜层和Si膜层之间生成了MoSi2。Mo原子的溅射能量是诱导非晶Si结晶和MoSi2生成的主要原因。
ECR-CVD制备氟化非晶碳低k介质薄膜
<
2007/12/18
摘要 采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法，以C4F8和CH4为源气体在不同气体流量比R(R=［CH4］/{［CH4］+［C4F8］})条件下成功地沉积了氟化非晶碳(a-C:F)低介电常数（低k）材料。采用X光电子能谱和椭圆光谱方法分析了a-C:F薄膜的化学组分和光学性质。沉积的a-C:F薄膜介电常数约为2.1～2.4，热稳定性优于350℃。随着气体流量比的增大，沉积a-C:...
晶粒尺寸对CVD金刚石膜电学特性的影响
金刚石膜 电学特性 晶粒尺寸 HFCVD
<
2007/12/18
摘要 通过改变生长参数，采用热丝化学气相沉积（HFCVD）法制备了从10μm到90nm四种晶粒尺寸的金刚石膜，并制作了三明治结构的光电导探测器。采用原子力显微镜和拉曼光谱仪研究了薄膜的结构和表面形貌：表面粗糙度从423nm变化到15nm；晶粒越大，金刚石膜的质量越好。I-V特性测试结果表明随着晶粒尺寸的减小，金刚石膜的电阻率从1011Ω·cm减小到106Ω·cm。在5.9 keV的55Fe X射线...
并三苯场效应晶体管的研制
<
2007/12/18
摘要 采用有机半导体材料并三苯作为有源层，环氧树脂作为绝缘介质，通过旋涂和真空掩蔽蒸发的方法，成功研制出了倒转结构的有机场效应晶体管。经测试器件的电子迁移率为 5.76×10-2cm2/V·s，跨导为0.96μS。显示出该器件具有良好的输出特性曲线。
纤维素和纤维素衍生物在适当的溶剂中可以形成溶致性液晶, 乙基氰乙基纤维素是纤维素的一种混合醚类衍生物, 本文研究了其溶致性液晶的形成, 结构以及不同溶剂对形成液晶所产生的影响.
Eu3+掺杂新颖铝硅酸盐的合成、表征及发光特性
<
2007/12/12
摘要 在温和的固相反应条件下, 通过水解反应制备了与NaGdSiO4同构的Eu3+掺杂的新颖铝硅酸盐晶体发光材料NaAlSiO4:Eu3+, 样品用X射线衍射分析和场发射电子扫描显微镜表征, 实验结果表明, Eu3+掺杂铝硅酸盐在紫外光的激发下能够发射出较强的红色荧光, 文章也讨论了不同烧结温度和不同掺杂浓度对材料发光的影响．