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搜索结果: 121-135 共查到知识库 陶瓷学相关记录217条 . 查询时间(3.577 秒)
文章摘要: 采用Sol--Gel工艺制备了PbTiO3 (PT)玻璃陶瓷薄膜, 实现了常规熔融法难以达到的高PT含量. 薄膜中PT晶粒分布均匀, 晶粒大小约0.1μm, 膜中无孔洞. 采用常规热处理,可获得c轴择优取向的PT玻璃陶瓷薄膜, 而利用快速热处理技术有助于抑制PT焦绿石相的出现, 且薄膜呈现轻微的a轴择优取向.
文章摘要: 采用维氏和赫兹压痕法研究了Ti3SiC2接触损伤及其演变. 结果表明, 在维氏压痕接触损伤区从表面到纵深的不同损伤排序为:表面的晶粒粉碎, 亚表面的晶粒分层或破碎, 再远处的晶粒完好; 在赫兹压痕接触损伤区剪切损伤带以内的晶粒破碎, 剪切带以外的晶粒完好. 因此, 造成压痕处的局部能量耗散, 使应力传递受限、应力集中下降, 使这种三元层状陶瓷具有...
文章摘要: 在ZnO中添加Al2O3和MgO, 制备了高能ZnO基复合陶瓷线性电阻,其电阻率为5-1300Ω•cm、能量密度大于450J/cm3、电阻温度系数小且近于线性. 烧结温度、MgO添加量和降温速率分别对材料的电阻率、电阻温度特性以及线性度和能量密度有较大影响.
文章摘要: 采用粉末冶金真空烧结方法制备了TiC/NiCrMoAlTi金属陶瓷.研究了Mo含量对TiC/NiCrAlTi金属陶瓷的微观结构与力学性能的影响. 结果表明, 在TiC/NiCrAlTi金属陶瓷中添加Mo后, 在金属陶瓷的硬质相颗粒周围出现了典型的环形相, 随着Mo含量的增加, 环形相增多变厚, 致使金属陶瓷的硬度线性增加,环形相的生成使金属陶瓷硬...
文章摘要: 制备了含Mn和不含Mn的ZnO压敏陶瓷样品, 其V--I非线性α系数分别为52.30及10.40. 采用电子自旋共振谱(ESR)研究了含Mn的样品中MnO2的作用, 结果表明, Mn离子是一种受主杂质, 其价态由烧结前的Mn4+变为烧结后的Mn2+. Mn离子价态变化发生在烧结过程中950℃这一特定温度. 差热分析(DTA)结果也显示, MnO2...
文章摘要: 以AlCl3.6H2O为原料, 制备高盐基度碱式氯化铝Al2(OH)nCl6-n, 作为催化剂及网络形成剂参与陶瓷前驱体中TEOS、GPTMS的水解、缩聚反应. 将其注入木材并热处理, 得到高性能的(Al--, Si--)陶瓷化木材.
文章摘要: 首次报道了用溶胶--凝胶法制备的钛酸铅铁电玻璃陶瓷的晶粒尺寸对其高频介电性能的影响. 研究表明, 铁电玻璃陶瓷的高频介电弛豫主要是由材料内部的畴壁共振引起的.晶粒尺寸增加, 畴壁宽度增大, 介电弛豫向低频移动; 反之, 晶粒尺寸减小, 畴壁宽度变小, 介电弛豫向高频移动, 弛豫频率提高, 介电损耗变小.
文章摘要: 研究了在Sialon系统中分别引入10%的 Sm -- M' (melilite) 和YAG(garnet)后的烧结反应过程.M系统(引入了Sm--M')在1600℃生成了富N过渡相Sm--M'.在烧结过程中M系统是富N的环境, 有利于a--Sialon的形成, A系统(引入了YAG)在1350℃下生成的富O的过渡相YAG直到1700℃才消失. ...
文章摘要: 研究了Ti、TiH2等活性填料在聚碳硅烷先驱体裂解制备SiC陶瓷材料中的应用. Ti、TiH2等可增加聚碳硅烷的裂解陶瓷产率, 可与N2气氛反应生成氮化物, 导致体积膨胀而降低陶瓷的气孔率, 提高材料性能.
文章摘要: 研究了25%N2+75%H2(体积分数)强还原烧结气氛下施主添加剂Nb2O5、La2O3对SrTiO3双功能陶瓷半导化的作用规律, 结果表明随着添加量的增大, Nb2O5掺杂试样的表观电阻率单调下降, 而La2O3掺杂试样的表观电阻率呈“U”形曲线. 研究了在La2O3高、低两种添加量下, 烧结温度对半导化的作用规律, 实验结果表明随着烧结温度的...
文章摘要: 研究了以SiC为界面层的Al2O3基多角柱状陶瓷复合材料的断裂韧性以及断裂功,发现该材料的断裂能显著提高. 通过观察裂纹扩展路径以及断裂形貌,分析了多角柱状复合材料的断裂行为. 在弯曲强度和韧性测试中,这一材料在适当的载荷容量下, 展示出延缓型的断裂行为和非脆性的失效方式.
文章摘要: 在水/Span80-Tween60/环己烷反相微乳液体系中制备出适合喷射打印成型用分散性好、微粒尺寸约10nm的ZrO2陶瓷墨水, 研究了陶瓷墨水的理化性能.当复合乳化剂含量为0.15~0.20, HLB值11.5~13.5, 水含量16.0时,得到了澄清、稳定的反相微乳液. 陶瓷墨水的粘度随固含量的增加而增大,加入助乳化剂可以调节粘度和表面张力...
文章摘要: 抗水化处理的AlN粉体为原料,研究了埋粉条件对添加Sm2O3的AlN陶瓷显微结构和导热性能的影响.结果表明, 在不加埋粉烧结条件下试样周围的还原性气氛增强有助于形成较高Sm/Al比的晶界相, 不加埋粉有利于晶界相的排出.这些因素均有助于提高AlN陶瓷的热导率.不加埋粉在1830℃烧结可获得热导率为166W/(m•K)的AlN陶瓷.
文章摘要: 利用脉冲大电流快速烧结技术(也称放电等离子烧结SPS技术)研究了TiB2的烧结过程. 结果表明: 升温速率对烧结样品的相对密度、晶粒尺寸及烧结过程中真空室气压均有重要影响.最佳的升温速率使TiB2烧结晶粒相对最小、烧结体相对密度较高. 分析认为,在SPS条件下的快速升温有利于颗粒表面活化, 烧结体晶粒尺寸既受控于烧结时间,也受控于晶粒生长活化能....
文章摘要: 在对氮化硅粉料进行助烧剂包覆和凝胶注模成型的基础上,研究了冷等静压凝胶注模成型氮化硅坯体、氧化氮化硅包覆料和气压烧结制度对凝胶注模成型氮化硅陶瓷的抗弯强度和韦泊尔模数的影响. 冷等静压有利于提高凝胶注模成型氮化硅陶瓷的力学性能.合适的粉料氧化制度和烧结制度都能提高材料的抗弯强度和韦泊尔模数.实验采用优化的工艺, 制备出的氮化硅陶瓷的三点弯曲强度和...

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