搜索结果: 1-15 共查到“物理化学 吡咯”相关记录53条 . 查询时间(0.165 秒)
聚吡咯/MnO2纸电极的制备及光热效应增强电容性能
聚吡咯 超级电容器 光热效应 纸电极
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2022/3/29
通过湿化学法与低温界面聚合法在慢速滤纸上依次沉积二氧化锰（MnO2）与聚吡咯（PPy），制备出PPy/MnO2纸基复合材料。利用红外光谱、扫描电镜、循环伏安、恒电流充放电、交流阻抗等手段对该复合材料的结构和性能进行了表征。研究表明：PPy的沉积较好地保留了滤纸的多孔结构，并能覆盖MnO2颗粒，形成较大活性面积；其中MnO2/PPy-400单电极的比电容可达1487.1mF/cm2；在光强为1kW/...
利用密度泛函理论对吡咯并吡咯二酮（DPP）与噻吩形成共聚物的低聚物（PDPP-nT）m的电子结构及二体堆积模型的电荷传输性质进行计算. 结果表明，随着聚合物单元内DPP浓度增加，噻吩数减少，聚合物分子的HOMO和LUMO能级同时降低，并且HOMO-LUMO带隙变小；链内相邻DPP单元的电子波函数有效重叠增大，显著改善了链内的电子传输能力；同时分子主链的刚性增强，使分子链间LUMO轨道重叠增强，电子...
以磷钼酸（PMo）、吡咯（Py）和碳纳米管（CNTs）为原料，通过原位聚合方法制备了PPy-PMo@CNTs复合材料. 采用傅里叶变换红外光谱（FTIR）、扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）等手段对材料进行了结构表征. 结果表明，磷钼酸和聚吡咯被引入到碳纳米管载体上，且聚吡咯在碳纳米管表面形成了一层薄层. N2吸附-脱附测试结果表明，PPy-PMo@CNTs为介孔材料. 将以乙腈为...
采用具有电化学活性的钴氰根、钼酸根、二苯胺磺酸离子固定化掺杂聚吡咯, 发现这类氧化还原掺杂均能大幅提高聚吡咯的电化学利用率和充放电速率. 固定在聚吡咯链间的活性阴离子一方面通过自身的氧化还原反应, 贡献出可观的电化学容量; 另一方面作为氧化还原中继体, 促进聚吡咯链段的电子转移反应, 产生显著的电化学活化效应. 这种固定化掺杂方法操作简单, 适用于众多的聚合物材料体系.
聚吡咯/氧化石墨复合材料的电化学电容性能
聚吡咯 氧化石墨 复合材料 电化学电容
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2012/11/26
以改进的Hummer法制备氧化石墨（GO），用原位聚合法合成聚吡咯/氧化石墨（Ppy/GO）复合物，运用CV和CP法测试电化学性能，并以XRD，FTIR，SEM分析材料的结构形貌.结果表明：（1）Ppy/GO复合物具有较好的电化学电容性能.当电流密度为0.5 A·g-1时，复合物在1 mol·L-1 H2SO4溶液中的比电容可达358.93 F·g-1.（2）Ppy/GO复合物较Ppy有更好的循环...
合成了两种吡咯烷酮酸性离子液体---1-辛基-2-吡咯烷酮的硫酸氢盐/四氟硼酸盐（[Hnop]HSO4/BF4）。以失重法和电化学方法考察它们在1 mol/L HCl溶液中对低碳钢（Q235）的缓蚀性能，探讨其缓蚀机理和吸附行为。结果表明，两种离子液体均有缓蚀作用，属于混合型缓蚀剂。缓蚀率随浓度增加递增，随温度升高而下降。 [Hnop]HSO4的缓蚀性能优于[Hnop]BF4。30℃下， [Hno...
不同状态下聚吡咯膜的电化学阻抗
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2010/3/9
用恒电流法分别聚合了掺杂对甲苯磺酸根(pTS-)和十二烷基磺酸根(DS-)的聚吡咯膜(PPy/pTS 和PPy/DS), 通过循环伏安法(CV)和电化学阻抗法(EIS)测试了聚吡咯膜在NaCl溶液中‘过电位’电化学过程前后及不同电位下聚吡咯膜的电化学性能. 同时, 通过嵌入和脱出Na+和Cl-离子的聚吡咯膜在特定溶液中电化学阻抗图谱, 研究了离子的嵌入对聚吡咯膜电化学性能的影响. 结果表明‘过电位...
采用电化学循环伏安法（CV）和原位拉曼光谱（insitu Raman）对窄能隙共轭高分子聚{吡咯2,5二[(对二甲氨基)苯甲烯]}（PPDMABE）的电化学行为进行了研究.结果表明,在不同pH值NaNO3溶液中, PPDMABE的电化学氧化还原过程中存在吡咯环的氧化态结构与芳式和醌式结构之间的转变.聚合物在氧化态时吡咯环主要以氧化态存在,而还原态以芳式和醌式结构吡咯环为主.PPDMABE在酸...
3，4-二硝基呋咱基氧化呋咱在N-甲基-2-吡咯烷酮和二甲基亚砜中的溶解行为
物理化学 3 4-二硝基呋咱基氧化呋咱 DNTF N-甲基-2-吡咯烷酮 二甲基亚砜 溶解 动力学
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2014/3/11
在常压、298.15K条件下，用RD496-2000微热量仪分别测量3，4-二硝基呋咱基氧化呋咱（DNTF）在N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)和二甲基亚砜(DMSO)中的溶解焓，得到DNTF在不同溶剂中的微分溶解热和积分溶解热，建立了热量与溶质的量之间的关系式。对于DNTF，在NMP中描述溶解过程的动力学方程为dα/ dt=10-3.81(1-α)1.19；在DMSO中，描述溶解过程的动力学方程为...
吡咯喹啉醌模型化合物与氨亲核加成的理论探讨
辅酶PQQ(吡咯喹啉醌) 密度泛函理论 亲核加成 氢键
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2009/12/25
为了揭示辅酶PQQ结构与反应性的关系,在B3LYP/D95(d, p)水平上对一系列PQQ模型化合物及其类似物与氨的亲核加成进行了理论计算.结果表明:对单羰基体系,羰基碳的亲电性对反应能垒有重要的影响;对双羰基体系,过渡态中邻位羰基氧与亲核试剂氨上的H形成的氢键对反应的活化能起着关键的作用;稠合芳香环本身对反应的能垒影响不大,但当稠合杂环的1-位为可提供氢键受体的N原子时,由于N1与氨上H原子间可...
聚吡咯纳米阵列电极的光电化学
聚吡咯 阳极氧化铝膜 纳米线阵列 光电化学
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2009/12/14
以多孔的铝阳极氧化膜(AAO)为模板制备了直径约为80 nm聚吡咯(PPy)纳米线的阵列电极, 并研究了它的光电化学响应. 结果表明, 在电极电位低于－0.1 V(vs Ag/AgCl)时出现的阴极光电流是由聚吡咯纳米线的p型半导体性质引起的, 其平带电位为－0.217 V. 聚吡咯纳米线的长度对光电流的影响较大, 最佳长度为42 nm. 这是因为在很短的聚吡咯纳米线阵列中PPy太少, 产生的光电...
用电化学方法制备了分别以对甲基苯磺酸根(TOS-), 高氯酸根(ClO-4)和氯离子(Cl-)掺杂的聚吡咯(PPy)膜. 用循环伏安(CV)、恒电流充放电和电化学阻抗谱(EIS)等测试了它们的电化学容量性能. 用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)分别研究了这三种PPy膜的形貌和结构. 研究发现, 由于具有疏松多孔的形貌和更有序的分子链结构, PPy-TOS和 PPy-Cl膜具有较好的充放电能...