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本发明涉及一种用于纵向NPN晶体管电离辐射损伤的定量测试方法，该方法涉及装置是由栅控纵向NPN双极晶体管和HP4142半导体参数分析仪组成，利用附加栅电极半导体工艺，在常规双极NPN晶体管的CE、EB结钝化层表面附加栅电极，所加栅电极既不影响器件的双极常规特性，又使的器件具有MOS管特性，测试过程中通过在器件的表面附加一定的电场，使得器件基区表面能级发生弯曲，从而获得表面栅极电压随基极电流的变化趋...
In this article, a switching longitudinal and lateral semi-decoupled active disturbance rejection control (ADRC) strategy is proposed for motion control of unmanned ground vehicles (UGVs). To characte...
中国科学院合肥物质科学研究院专利：纵向高场不对称波形离子迁移谱装置
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 高场 不对称波形 离子迁移谱
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2023/11/28
中国科学院合肥物质科学研究院专利：纵向高场不对称波形离子迁移谱装置
中国科学院合肥物质科学研究院专利：一种实现单像素激光雷达纵向超分辨率成像的方法
考虑通信延时影响的车辆队列控制问题,提出一种基于观测器的分布式车辆队列纵向控制器.首先,基于分层控制策略分别设计上下层控制器,通过上层控制器优化期望加速度、下层控制器克服车辆模型非线性实现期望加速度和实际加速度的一致.上层控制器设计过程中,基于三阶线性化车辆模型,考虑观测器、车辆动态耦合特性和通信延时,提出一种通信延时环境下基于观测器的车辆队列控制器,利用观测器估计领导车辆加速度信息从而减轻通信负...
中国科学院物理研究所专利：一种具有纵向孔结构的热解硬碳材料及其制备方法和应用
氮化镓（GaN）器件具有更高耐压，更快的开关频率，更小导通电阻等诸多优异的特性，在功率电子器件领域有着广泛的应用前景：从低功率段的消费电子领域，到中功率段的汽车电子领域，以及高功率段的工业电子领域。相比于横向器件，GaN纵向功率器件能提供更高的功率密度、更好的动态特性、更佳的热管理及更高的晶圆利用率，近些年已取得了重要的进展。而大尺寸、低成本的硅衬底GaN纵向功率器件更是吸引了国内外众多科研团队的...
苏州纳米所孙钱团队研制出国际首支1200V的硅衬底GaN基纵向功率器件（日）
孙钱 电子器件 高性能离子
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2023/7/18
氮化镓（GaN）电子器件具有更高耐压，更快的开关频率，更小导通电阻等诸多优异的特性，在功率电子器件领域有着广泛的应用前景：从低功率段的消费电子领域，到中功率段的汽车电子领域，以及高功率段的工业电子领域，目前650V级的GaN基横向功率器件（如HEMT）已经广泛应用于消费类电子产品的快充设备、大数据中心的电源管理系统，而有望应用到电动汽车上的1200 V级器件是GaN功率电子器件领域的研究热点和难点...
氮化镓（GaN）电子器件具有更高耐压，更快的开关频率，更小导通电阻等诸多优异的特性，在功率电子器件领域有着广泛的应用前景：从低功率段的消费电子领域，到中功率段的汽车电子领域，以及高功率段的工业电子领域，目前650V级的GaN基横向功率器件（如HEMT）已经广泛应用于消费类电子产品的快充设备、大数据中心的电源管理系统，而有望应用到电动汽车上的1200 V级器件是GaN功率电子器件领域的研究热点和难点...
针对通信延时环境下的异质车辆队列控制问题,本文提出了一种基于三阶模型的分布式非线性车辆队列纵向控制器.首先,基于三阶动力学模型描述了车辆的异质特性.考虑车辆跟驰行为以及异质通信延时,提出一种通信延时环境下的异质车辆队列非线性控制器.所提控制器不仅可以在通信延时以及车辆异质特性的影响下实现队列中车辆的位置、速度以及加速度的一致性,而且可以有效避免负的车辆间距和不合理的加/减速度,保证车辆的运动行为符...