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中国科学院金属研究所专利：一种消除SnBi焊料与铜基连接的界面脆性方法
中国科学院金属研究所 专利 SnBi焊料 铜基连接 界面脆性
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2023/11/9
本发明属于微电子互连的无铅封装领域,具体为一种利用铜合金消除SnBi/Cu连接偶的界面脆性方法,解决SnBi焊料与Cu基底连接的脆性问题。本发明采用向铜基底中加入少量的合金元素,用以消除SnBi焊料与铜基连接的界面脆性,能够提高SnBi焊料的连接强度。这种封装基底合金化的方法改变了传统的纯铜基底,防止纯铜与SnBi焊料连接在使用过程中,由于高温时效产生界面Bi偏聚导致的界面脆性。通过向铜基底中加入...
中国科学院金属研究所专利：一种标记互连结构初始液固反应界面的方法
中国科学院金属研究所 专利 互连结构 液固反应界面
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2023/8/16
中国科学院金属研究所专利：一种标记互连结构初始液固反应界面的方法