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搜索结果: 121-135 共查到材料科学 无铅相关记录156条 . 查询时间(0.179 秒)
印制电路板电镀铅锡合金工艺          < 2007/12/25
对印制电路板电镀铅锡合金工艺及在生产过程中的影响因素进行了论述,为使印制电路板上的铅锡合金镀层具有良好的焊接性和足够的耐腐蚀能力,必须保证最佳的工艺配比和合理的工艺参数.通过工艺试验及性能考核,获得了成功,并经过了批生产的考核.
采用标准加入原子吸收分光光度法测定铅锡合金镀液中铅的浓度,试验确定了最佳的测定条件.结果表明,该方法简便、快速、干扰小,测定的准确度和精密度高,适用于电镀过程中铅浓度的跟踪测定.
铅蓄电池用铝极板的制备          < 2007/12/25
介绍了用电镀方法制备铅酸蓄电池用铝基极栅板的过程,分析了不同工艺条件下复合镀层的结合强度、耐腐蚀性能.通过分析得出用电镀方法制备铅酸蓄电池用极板是可行的.
氟硅酸盐体系电沉积铅镉合金的研究          < 2007/12/25
研究了氟硅酸酸盐体系中铅、镉和铅-镉混合镀液的阴极极化曲线.结果表明,镀液中加入添加剂间苯二酚能显著增加阴极极化及改善镀层性能;用脉冲电沉积代替常规的直流电沉积进行铅-镉合金的电沉积,表观状态比较表明,脉冲电沉积所得镀层质量较直流法有明显改善.原子吸收分光光度法测定表明,直流电沉积和脉冲电沉积所得镀层镉含量均随电流的增加而增加.
摘要 本文制备了多壁碳纳米管(MWNT)/Nafion复合物修饰电极。用示差脉冲阳极溶出伏安法测定痕量铅离子的浓度。该方法降低了富集电位,避免了汞的污染,灵敏度高,重现性好。在5.0´10-9~2.0´10-8mol/L 及2.5´10-8~5.0´10-6mol/L 范围内呈良好的线性关系。
文章摘要: 用热循环、扫描电镜观察焊点横截面和有限元模拟的方法研究了陶瓷球栅阵列(CBGA)封装结构中无铅焊点的组织和热疲劳行为。BGA结构的制备是通过Sn-3.0Ag-0.5Cu焊膏采用回流焊工艺把Sn-3.8Ag-0.7Cu焊球和镀银多层陶瓷芯片、镀铜印刷线路板(PCB)焊接在一起。回流焊后,在焊料与铜焊盘和银焊盘的界面处分别形成了Cu6Sn5和Ag3Sn金属间化合物(I...
摘要 利用实时观察方法对锗酸铅晶体生长枝蔓晶的生长过程进行了描述和分析. 发现, 枝蔓晶的产生与杂质相关, 杂质作为一个成核中心, 在其周围存在一个溶质扩散层, 这个溶质扩散层的厚度随着晶体生长而增大. 当该扩散层的厚度超过某个临界值时, 出现枝蔓晶生长, 溶质扩散层的临界厚度约为12μm. 枝蔓晶主干的生长速度受分支出现以及主干转向的影响.
摘要 利用固相反应法制备了(Na 0.52 K 0.48-x Li x)(Nb 0.86 Ta 0.10 Sb 0.04)O 3系无铅压电陶瓷, 研究了不同Li含量(x分别为0、0.02、0.04、0.06、0.08)样品的显微结构、物相组成及电性能. 结果表明, Li含量的改变对其物相组成、压电性能、铁电性能、介电性能都有显著影响. 当Li含量x从0增大到0.04时, 其压电性能相应提高, 当L...
摘要 采用常压烧结方法制备了Mn掺杂的(K 0.5 Na 0.5) 0.96 Sr 0.02 Nb 1-x Mn x O 3无铅压电陶瓷. 研究了Mn含量对该体系材料的相组成、微观结构、介电、压电和热稳定性能的影响. XRD表明随着Mn含量的增加, 体系由正交相过渡到赝四方相; 而且, 富Na的第二相消失, 得到纯净的钙钛矿相结构. 在Mn含量为x=0.03和0.04时, 观察到了两个温度(200...
摘要 用溶胶-凝胶法制备了(Pbx,Sr1-x)0.85Bi0.1TiO3薄膜, 对其晶相结构、微观形貌和介电可调性进行了研究. 结果表明, 该薄膜以钙钛矿形式存在. 快速热处理过程可分解得到高活性离子,直接形成比相应温度平衡状态析晶时更多的晶相量. 这种晶相在一定条件下有分解和再结晶的趋势. 随着Pb2+离子增加和Sr2+离子减少, 钙钛矿相的四方相与立方相间的转变温度升高. 薄膜处在铁电相和顺...
室温生物诱导合成硒化铅纳米半导体     纳米       < 2007/12/12
摘要 以醋酸铅和硒代硫酸钠作为反应物, 蛋壳薄膜作为生物活性载体, 设计一种在生物活性材料参与下室温原位合成硒化铅纳米团簇的新方法. 利用蛋膜上特定周期性分布的大分子与无机前驱体离子之间的螯合作用和电荷作用, 引导和控制硒化铅微晶在蛋膜载体上的形成、聚集和分布, 成功制得结晶完善且在蛋膜上均匀分布的具有规则形状的硒化铅纳米团簇. 紫外-可见光谱和荧光光谱分析表明所制备的硒化铅纳米粒子具有均匀的小尺...
摘要 采用传统陶瓷烧结工艺制备了(1-x)(K0.5Na0.5)NbO3- xLiNbO3无铅压电陶瓷, 研究了陶瓷的结构、烧结特性及电性能特征. 制备的 (K0.5Na0.5)NbO3- xLiNbO3陶瓷为单一的钙钛矿结构, 室温下其相结构随LiNbO3含量增加逐渐由正交相向四方相转变, 显微结构也由于LiNbO3含量的不同而表现出很大差异. 与(K0.5Na0.5)NbO3陶瓷相比, (K0...
(Na0.5K0.5)NbO3基无铅压电陶瓷的研究          < 2007/12/12
摘要 由于钙钛矿结构无铅压电陶瓷具有高的压电性能, 已成为无铅压电陶瓷研究的热点. 本文综述了钙钛矿结构无铅压电陶瓷 (Na0.5K0.5)NbO3的研究进展和趋势. 重点从添加第二组元、添加助烧剂、取代改性和制备方法四个方面, 归纳和分析了 (Na0.5K0.5)NbO3基无铅压电陶瓷的研究开发进展, 并对 (Na0.5K0.5)NbO3基无铅压电陶瓷今后的研究和发展提出一些建议.
文章摘要: 研究了器件端头两种不同的金属化层(Ag-Pd和Ni/Ag-Pd)对Sn-Sb钎料表面贴装焊点的形状、微结构及剪切强度的影响,并与常用的Sn-Pb-Ag钎料焊点进行了比较结果表明:Sn-Sb/Ag-Pd焊点由于Sn-Sb钎料与Ag-Pd层在回流焊接过程中的剧烈反应导致钎料在器件端头区域集中而不在Cu焊盘上充分铺展,焊点强度低,断裂发生在原Ag-Pd/陶瓷界面;Sn-S...
文章摘要: 采用KH--550对钛酸铅(PT)粉末进行表面处理,通过对PT/环氧树脂和处理PT/环氧树脂两种压电复合材料的压电应变常数、耐热性和耐冲击强度的测定和对比,研究了界面改性对压电复合材料的压电性能的影响. 结果表明: 通过界面改性,可以明显提高复合材料的耐热性和耐击穿强度,而对饱和极化时的压电应变常数无影响

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