搜索结果: 1-14 共查到“工学 双极型晶体管”相关记录14条 . 查询时间(0.243 秒)
近日，东南大学张彤教授课题组基于前期报道的柔性衬底InP异质结双极型晶体管（InP DHBT）制备技术，提出了一种InP DHBT与柔性衬底之间的BCB键合优化工艺，基于该工艺获得了目前文献报道最高的截止频率fT = 358 GHz和振荡频率fMAX = 530 GHz。并且本文评估了两种不同BCB厚度下InP DHBT在柔性衬底上的热阻，测试了对应不同热阻下对器件直流和高频特性的影响。此外，本文...
西安电子科技大学化合物半导体材料与器件课件第四章 异质结双极型晶体管。
视频：内蒙古大学电子信息工程学院模拟电路 双极型晶体管教学录像
视频 内蒙古大学电子信息工程学院 模拟电路 双极型晶体管 教学录像
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2015/9/14
视频：内蒙古大学电子信息工程学院模拟电路 双极型晶体管教学录像。
微波脉冲对硅基双极型晶体管的损伤特性
硅基双极型晶体管 微波脉冲 击穿 失效分析
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2016/7/15
利用微波脉冲注入实验平台，对硅基双极型晶体管低噪声放大器进行了损伤效应实验。在微波脉冲对硅基双极型晶体管低噪声放大器损伤的失效分析中，当低噪声放大器增益下降大于10dB时，发现硅基双极型晶体管出现了永久损伤。通过对比测量硅基双极型晶体管损伤前后的电特性以及利用扫描电子显微镜观测损伤后晶体管的微观特性发现：硅基双极型晶体管被微波脉冲损伤后，基区的硅材料烧蚀导致发射结和集电结短路，不再具有PN结特性，...
微波脉冲对硅基双极型晶体管的损伤特性
硅基双极型晶体管 微波脉冲 击穿 失效分析
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2016/6/2
利用微波脉冲注入实验平台，对硅基双极型晶体管低噪声放大器进行了损伤效应实验。在微波脉冲对硅基双极型晶体管低噪声放大器损伤的失效分析中，当低噪声放大器增益下降大于10dB时，发现硅基双极型晶体管出现了永久损伤。通过对比测量硅基双极型晶体管损伤前后的电特性以及利用扫描电子显微镜观测损伤后晶体管的微观特性发现：硅基双极型晶体管被微波脉冲损伤后，基区的硅材料烧蚀导致发射结和集电结短路，不再具有PN结特性，...
绝缘栅双极型晶体管失效机理与寿命预测模型分析
绝缘栅双极型晶体管 失效机理 寿命预测模型 键合引线
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2011/10/22
针对绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的主要失效机理，特别是键合引线失效过程，采用高速红外热成像仪对键合引线失效过程的结温温度场分布实时探测试验，同时对IGBT模块电气与传热特性进行监控，发现IGBT在高结温与高温度梯度时主要的失效形式是键合引线翘曲与熔化，在外部特性上表现为集射极压降值增大，而热阻基本不变．提出了提高器件可靠性、延长使用寿命的方法．在加速寿命试验原理的基础上，通过开展高温下的功率循环...
场终止型绝缘栅双极型晶体管的开关瞬态模型
绝缘栅双极型晶体管 场终止结构 开关瞬态模型
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2012/7/2
新一代场终止型(field stop，FS)绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor，IGBT)的仿真模型目前都是采用传统穿通型(punch through，PT)IGBT的建模方法，由于FS结构与PT结构在厚度、掺杂浓度等方面都存在很大的不同，不可避免的会存在较大的偏差。在对已有PT模型进行理论分析和公式推导的基础上，根据FS型IGBT的结构特点和工...
基极注入强电磁脉冲对双极型晶体管的作用
2维器件数值仿真 电磁脉冲 双极型晶体管
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2009/2/20
空间电磁脉冲注入硅双极型晶体管后可能会导致晶体管烧毁。借助2维数值仿真和理论分析研究了基极注入短电磁脉冲对双极型晶体管的作用，得出结论：晶体管的热斑位于基极边缘，由于该点既是电场峰所在,又是电流最密集之处，热量产生集中，因此基极注入脉冲使晶体管烧毁所需的能量比其它两电极注入要少；在基极注入短脉冲作用下，晶体管烧毁所需能量几乎不随脉冲宽度变化；烧毁所需脉冲功率近似与脉冲宽度成反比。
双极型晶体管损坏与强电磁脉冲注入位置的关系
2维器件数值模拟 电磁脉冲 烧毁
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2009/2/11
利用时域有限差分法，对双极型晶体管(BJT)在强电磁脉冲作用下的瞬态响应进行了2维数值模拟，研究了电磁脉冲从不同极板注入时BJT的响应情况，根据温度分布的集中程度分析了发生烧毁的难易程度。模拟得出：发射极注入最容易导致烧毁，集电极注入次之，基极注入相对不易导致烧毁；发射极注入烧毁所消耗能量随着脉冲电压上升而下降，到30 V以后基本与电压的升高无关，集电极注入烧毁所消耗的能量则随着电压上升而上升，到...
双极型晶体管在强电磁脉冲作用下的瞬态响应
瞬态响应 电磁脉冲 双极型晶体管
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2009/2/11
利用时域有限差分法，对双极型晶体管在强电磁脉冲作用下的瞬态响应进行了2维数值模拟，分析了器件烧毁过程中电场、电流密度、温度等参数的分布及变化情况，分别观察了低电压和高电压脉冲作用下烧毁过程中热点的形成过程，并得到了器件烧毁所需时间以及能量与脉冲电压幅度之间的关系。在电压脉冲较低时，烧毁点位于通道中靠近集电极的位置，当脉冲电压达到一定幅度的时候，由于发射极与集电极之间发生雪崩击穿，基极和发射极之间电...
中国科学院微电子研究所研制成功面向3毫米波段的InGaAs/InP双异质结双极型晶体管
双极型 晶体管
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2011/11/4
近日，中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）金智研究员领导的课题组成功研制出面向3毫米波段的InGaAs/InP双异质结双极型晶体管。
3毫米波段InGaAs/InP双异质结双极型晶体管研制成功
毫米波频段 双极型晶体管
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2008/8/6
中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）金智研究员领导的课题组成功研制出面向3毫米波段的InGaAs/InP双异质结双极型晶体管。
毫米波频段是满足日益强烈的高精度探测及高速率数据通信要求的关键资源。继8毫米波段（26.5～40GHz）之后，3毫米波段（75～111GHz）成为世界各国高频技术竞争的制高点。基于固态半导体技术的毫米波单片集成电路（MMIC）由于具有体积小、重量...