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室温工作的高In组分短波InGaAs线列探测器材料与器件。
5月30日，国家自然科学基金委员会工程与材料科学部组织专家在长春对由中科院长春光学精密机械与物理研究所宋航研究员主持的重点项目“室温工作的高In组分短波InGaAs线列探测器材料与器件研究”进行了结题验收。专家组由来自我国材料科学界知名专家组成，基金委领导和工程与材料科学部领导参加了重点项目结题验收会。
材料科学重点实验室研制出室温工作量子级联探测器
材料科学重点实验室 室温 量子级联探测器
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2009/12/15
近日，半导体研究所材料科学重点实验室最近成功地研制出应变补偿的InGaAs/InAlAs量子级联探测器，初步实现室温工作，室温探测中心波长为4.5微米。附图为部分代表性结果。量子级联探测器是一种新型的光伏型探测器。它的工作原理是基于具有不对称的、锯齿状导带结构的耦合量子阱中的子带间的跃迁，从而允许激发态电子单方向输运。这种探测器从原理上讲可以不需要外加电场，从而没有暗电流噪声，这种探测器可以实现高...
室温工作的长波红外光子型器件
长波红外探测器 光子器件 室温条件
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2008/11/25
本项目通过开展对室温长波红外光子型探测器有关的材料制备、芯片工艺、器件物理、封装、以及可靠性等方面的研究工作，重点解决适合近室温工作的碲镉汞材料质量的提高、新材料的探索、芯片的Auger复合抑制结构、微型半导体致冷器与芯片的集成、真空管壳封装技术等。
室温工作2μm探测器PN结性能的温度关系及其响应速度
探测器 P-N结
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2008/11/5
通过本项目的短波红外探测器，在航天遥感/光通信/红外雷达等各个方面都有着广泛应用。本项目通过对室温工作探测器PN结性能及其响应速度的研究，寻找限制探测器性能提高的各个因素，解决一些基础技术问题，这些研究将大大地推动我国室温短波光电探测器的发展。
室温工作HSGFET高灵敏度03传感器的研究
传感器 HSGFET 室温工作
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2008/9/11
本研究利用气敏场效应和敏感膜与O3作用引起膜材料功函数变化的机制，研究室温下对O3有高灵敏度响应的HSGFET（Hybrid Suspened Gate FET）型半导体O^3传感器。悬浮栅与FET转换器分别制作与测量，然后合二为一成传感器。研究了多种结构的悬浮栅和多种不同组分敏感膜及其特性，并组合成多种不同结构的HSGFET型O3传感器。该传感器在20-31℃的工作温度范围内，对O3的响应灵敏度...
室温工作FET型高灵敏度半导体0^3传感器的研究
传感器 半导体 室温工作
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2008/9/1
由南开大学信息技术科学学院研制的FET型O^3传感器具有小型、固态、有源、抗干扰性好等特点。由于采有复合悬浮栅结构，实现了双敏感膜与纳米多组分多孔膜的制作，使传感器在室温下对O^3具有高灵敏响应。由测量结果表明，传感器在20-30℃的工作温度范围内，对O^3的响应灵敏度达到 75μV/ppb 以上（双敏感膜的更高），响应范围为0-1ppm，线性响应范围可达0-400ppb，吸附响应时间可达10s。...