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搜索结果: 1-15 共查到工学 热敏电阻器相关记录18条 . 查询时间(0.142 秒)
本发明涉及一种含铅四元系负温度系数热敏氧化物粉体合成及电阻器的制备方法,该方法以锰、钴、镍、铅的氧化物为原料,采用氧化物固相法制备粉体材料,粉体经干燥、煅烧、预压成型、烧结、涂烧电极、采用环氧树脂封装后制成负温度系数热敏电阻器,该电阻器具有高B低阻、烧结温度低、稳定性好、精度高的特点,其材料常数为B25/50=3485-4106K,B值允许偏差:±1%,R25℃=70-630Ω,阻值允许偏差:±3...
本发明涉及一种耐高温真空热敏电阻器封装用玻璃陶瓷材料及其制备方法,该材料充分利用玻璃陶瓷的性能优势,提升耐高温真空热敏电阻器的高温稳定性和耐热冲击性能,提高耐高温真空热敏电阻器的可靠性和服役寿命。同时,利用玻璃陶瓷的形成机制,可在温度900℃烧结形成玻璃陶瓷的同时实现封装成型,简化了封装工艺,提高封装质量和产品的一致性,对完成航天用户新的需求指标、研制国际先进水平的耐高温真空热敏电阻器有重要的现实...
本发明涉及一种低温尖晶石氧化物负温度系数热敏电阻器及其制备方法,该电阻器是由硫酸锰、硫酸钴、硫酸镍、碳酸锂为原料,碳酸氢铵为沉淀剂,氨水为缓冲液,油酸为分散剂,采用共沉淀法制备,通过调节原料滴加速度,物料配比,pH值来控制共沉淀法遇到的团聚现象。反应后洗涤抽滤,煅烧得热敏电阻粉体。粉体经压片成型,等静压,高温煅烧,涂电极退火,焊引线,环氧树脂封装,即可得到低温尖晶石氧化物负温度系数热敏电阻器。该电...
本发明涉及一种提升珠状耐高温热敏电阻器抗热冲击性能的封装方法,该方法采用母相玻璃玻璃化转变温度为760?800℃的玻璃陶瓷封装热敏电阻,将玻璃粉粘稠浆料涂覆于珠状热敏电阻表面后,在温度900℃经一次热处理,在转化为玻璃陶瓷的同时形成封装结构,既能够实现封装层在敏感体陶瓷表面的良好浸润,进而形成致密的封装结构,且封装后的热敏电阻器抗热冲击性能显著提高,可耐受室温?900℃热冲击1000次,且零功率电...
本发明涉及一种适用于小型燃气轮机排气测温的线性输出NTC热敏电阻器及制备方法,该方法以分析纯碳酸钡、二氧化锡和二氧化铈为原料,经混合研磨、煅烧、润湿、冷等静压、高温烧结、被电极,即获得BaSnO3+、4%、7%)线性输出NTC热敏陶瓷材料,在温度375?450℃范围内阻温特性(呈现线性NTC输出,材料常数℃/450℃为5678?7670 K,温度375℃时电阻率为1.88×105?3.14×105...
2016年1月18日,根据中国科学院科发促字[2015]168号文件,中国科学院新疆理化技术研究所“航天海洋测温NTC热敏电阻器的研制及应用团队”获2015年度中国科学院科技促进发展奖科技贡献奖(二等奖)。
近日,由中科院新疆理化技术研究所科研人员完成的“一种含铅四元系负温度系数热敏电阻器”获得国家发明专利授权(专利号:ZL 201110144168.6)。
本发明涉及一种高电阻、低B值负温度系数热敏电阻器,该电阻是由原料镧、铬、铝、硅的氧化物和原料锰、镍、铬、锆的氧化物分别进行研磨,煅烧,制得颗粒大小均匀,分散性好的单一相材料,再经双相混合,研磨,高温烧结,封装,即可得到高电阻、低B值负温度系数热敏电阻器,其参数为R0℃=12KΩ±2%,B值为2050K±3%。本发明具有制备工艺简单,操作方便和质量稳定的优点,可在较宽温区内进行测温、控温及线路补偿,...
中国科学院新疆理化技术研究所专利:一种高真空环境中使用的负温度系数热敏电阻器
本发明涉及一种三元系芯片型负温度系数热敏电阻器,该电阻器是由硝酸锰、硝酸镍、硝酸钴为原料,以碳酸氢铵为沉淀剂,采用液相共沉淀法制成,通过控制硝酸盐与沉淀剂碳酸氢铵的摩尔比、反应温度以及pH值,以改善沉淀颗粒的团聚现象,再经水洗和醇洗的方式将产物中的杂质洗去,得到微细、均匀的热敏电阻粉末,再经干燥、煅烧,得到分散均匀的Mn、Ni、Co混合氧化物粉体,将粉体压块成型,等静压,高温烧结,半导体切、划片得...
2010年8月12日,由中科院新疆理化技术研究所承担的乌鲁木齐市科技创新种子基金项目“高精度芯片型塑封NTC热敏电阻器研制”通过了验收。该项目于2008年由乌鲁木齐市科技局立项,为新产品研制项目。
中国科学院新疆理化技术研究所专利:热敏电阻器
程控电话交换机机过流保护用MZ201、2、3型陶瓷PTC系列产品,具有动作时间快,耐工频电流、冲击电流性能优良,耐电压能力强,电阻值稳定,工作可靠等优点,是一种理想的质优价廉的限流保护器件。该系列保护器件的技术性能已完全达到邮电部YD/T74195行业标准的要求,器件型式有夹片式和引线式供用户选用。型号:允许偏差K±10%M±20%;程控电话交换机过流保护系列:规格:MZ201型:不动作电流110...

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