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提出采用选区激光烧结法(SLS)制备碳化硅(SiC)陶瓷预制体，探讨SiC陶瓷表面改性对激光烧结成形性的影响，进行SiC陶瓷粉末的激光烧结成形工艺实验，并对SiC陶瓷激光烧结件进行热脱脂和真空压力渗铝。结果表明：SiC陶瓷表面经硅烷偶联剂KH-570(5%)改性处理后的激光烧结成形性得到很大的改善；同时，所添加粘结剂中的无机磷酸二氢氨含量控制在8%，其激光能量密度在0.10~0.12 J/mm2范...