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随着柔性透明电子技术的兴起，二维半导体材料近年来备受关注，特别是直接带隙特性使得这些二维结构有望应用在光电子学领域。在过去十年里，研究者们已相继发展出MoS2和磷烯等典型的具有直接带隙的二维半导体材料。然而，MoS2的带隙是层数依赖性的，直接带隙仅能在单层结构中实现，而磷烯在空气环境中的化学性质不稳定。因此，近年来众多研究致力于优化这些二维结构并探索更多的二维半导体组员。二维过渡金属碳化物（MXe...
近期，中国科学院固体物理研究所梁长浩研究员课题组在碳包覆过渡金属碳化物（TMC/C）纳米颗粒合成方面取得进展，相关结果以全文的形式发表于Carbon杂志上(Carbon, 2016, 100, 590-599)。过渡族金属碳化物（TMC）是一种共价键、离子键和金属键共存的特殊材料，因此展现出独特的电学及力学性质。然而在应用过程中材料表面的碳易被氧化，导致材料表面结构发生改变，最终影响其物理与化学性...
过渡金属碳化物(111)面电子结构的理论研究
过渡金属碳化物(MC) 表面弛豫 能带结构 表面态
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2009/11/26
采用第一性原理的密度泛函方法对过渡金属碳化物MC(111)清洁表面构型和电子结构进行系统研究.结果表明,与理想表面相比,表面弛豫导致表层金属原子和次表层碳原子分别朝体相和真空方向位移,从而导致层间距的收缩.由能带计算结果得知,紧邻或被EF穿越的活性表面态成分均为表面金属原子的dxz/dyz轨道.进一步考察了弛豫对表面态组成的影响,并对表面芯能级位移和功函进行了探讨.