搜索结果: 1-4 共查到“凝聚态物理学 二维电子”相关记录4条 . 查询时间(0.188 秒)
氧化物界面自旋极化二维电子气（图）
氧化物界面 自旋极化 二维电子气
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2018/9/26
最近，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心磁学国家重点实验室博士研究生张洪瑞、张慧等在孙继荣研究员指导下，利用磁性绝缘氧化物EuO与KTaO3组合，成功地在EuO-KTaO3界面获得了高自旋极化、高导电性的二维电子气。研究发现二维电子气表现出标志其具有明显磁有序特征的滞后磁电阻效应与反常霍尔效应，且这些效应加温至70 K时仍然可分辨。此前在LaAlO3/SrTiO3 二维电子气中发现的...
中国科学技术大学在黑磷低维原子晶体中实现高迁移率二维电子气（图）
中国科学技术大学 黑磷低维原子晶体 高迁移率二维电子气
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2015/5/21
近日，中国科学技术大学教授陈仙辉课题组与复旦大学教授张远波课题组合作，继去年首次制备出二维黑磷场效应晶体管之后，再次在薄层黑磷晶体研究中取得新进展，成功在这一体系中实现高迁移率二维电子气。相关研究成果发表在5月18日的《自然·纳米科技》上。
中国科学院强耦合量子材料物理重点实验室陈仙辉教授课题组与复旦大学物理系张远波教授课题组合作，继去年首次制备出二维黑磷场效应晶体管之后，再次在薄层黑磷晶体研究中取得重要进展，成功在这一体系中实现高迁移率（>1,000cm2V-1s-1）二维电子气。这意味着黑磷已经成为在电子学领域有广泛应用前景的新型二维明星材料。相关研究成果以“Quantum oscillations in a two-dimens...
中国科学院半导体所HgTe二维电子气边缘态输运的全电控制研究获进展
中国科学院半导体所 HgTe二维电子气边缘态 输运 全电控制 研究进展
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2011/5/23
普通的半导体材料二维电子气的霍尔沟道在外磁场下会展现整数量子霍尔效应。其物理起源是洛伦兹力导致沟道边缘附近出现具有金属特性的边缘态。反转能带的半导体材料HgTe二维电子气霍尔沟道甚至无外磁场时其边缘也会呈现出金属态特性，即量子自旋霍尔效应。这项工作被评为2007年度十大科学进展之一，获得了2010年度欧洲物理学奖。