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搜索结果: 1-10 共查到材料科学 导电薄膜相关记录10条 . 查询时间(0.106 秒)
专利名称:一种提高透明导电薄膜光电性能的后处理方法。
中国科学院金属研究所专利:在F掺杂SnO2透明导电薄膜基体上原位制备SnO2电子传输层的方法。
近期,固体物理研究所功能材料研究室在基于关联电子材料的p型透明导电薄膜研究中发现:关联氧化物中电子关联强度的调节是探索高性能p型TCO材料的有效途径。相关研究成果发表在Physical Review Applied上,并被选为编辑推荐 (Editors’suggestion)论文。江苏科技大学赵明琳博士与安徽大学何刚教授参与了研究工作。
近期,中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所研究人员在制备超高长径比银纳米线方面发现了一种简易的新方法,并在所获得高品质银纳米线材料的基础上,制备了光/电性能优异的透明导电薄膜,并将其应用于透明加热器,成功实现了加热器加热温度、响应时间等性能的调控。银纳米线作为新型透明导电薄膜材料而被广泛研究。然而,银纳米线结构参数调控难度较大,特别是高端电子器件如触摸屏等应用需要直径小于40纳米、长径比大于...
喷墨打印作为一种图案化技术,具有工艺简便、成本低廉和功能多样等优势,容易实现大面积复杂图案的直接书写和复合功能材料的图案化,已在高性能电子器件以及生物传感等研究领域受到广泛的关注。
利用WD-01分散剂辅助球磨分散法和涂布技术,制备多壁碳纳米管(MWNT)/改性聚醚酮(PEK-C)复合薄膜,考察树脂浓度、球磨时间、涂布液放置时间及MWNT含量等因素对薄膜导电性能的影响,研究MWNT含量及残留溶剂对薄膜储能模量及玻璃化转变温度(Tg)的影响。结果表明,由WD-01分散剂辅助球磨分散法可以剪短并有效分散MWNT;涂布液黏度增大能有效抑制MWNT的再团聚;在MWNT含量在8%~33...
采用射频磁控溅射方法,在普通玻璃上制备了具有高度c轴取向的ZnO薄膜,研究了溅射气压(0.2~1.5 Pa)对ZnO薄膜的微观结构和光电性能的影响。AFM、XRD、UV-Vis分光光度计及四探针法研究表明:随着溅射气压的增大,ZnO薄膜沿c轴方向的结晶质量提高,晶粒细化,薄膜表面更加致密,晶粒大小更加均匀;ZnO薄膜在400~900nm范围内的平均透过率均高于85%,其中在0.5~1.5 Pa范围...
研究了ZAO透明导电薄膜的微观组织结构、化学成分及其电学光学特性。结果表明,多晶ZAO薄膜呈柱状晶并具有(002)面择优取向,c轴晶格常数大于0.52000nm;ZAO薄膜不同微区之间的成分不均匀导致了电学性能的不均匀;ZAO薄膜的电阻率和在可见光区的平均透射率分别为1.39×10-4 Ω•cm和80.8%,其透射率和吸收率曲线均具有明显的波动性,该波动性影响以ZAO为阳性的有机发光二...
摘要 以可溶性无机盐为原料, EDTA 、柠檬酸、酒石酸为复合螯合剂, 水为溶剂, 采用改进的溶胶-凝胶法制备了无裂纹、晶粒尺寸小且均匀分布的钙钛矿结构的BaPbO3 导电薄膜. 利用XRD、SEM和EDS表征方法结合薄膜方阻的测定, 具体分析了Pb/Ba比和晶粒生长情况对BaPbO3 薄膜导电性能的影响. 实验结果表明: Pb/Ba比和晶粒生长情况是决定BaPbO3薄膜导电性的两个主要因素, P...
文章摘要: 氧化锌薄膜的透明导电特性与化学计量偏离和溅射条件有关. 以2%(质量分数)氧化铝掺杂的氧化锌陶瓷作靶, 采用RF磁控溅射技术制备的透明导电薄膜, 其电阻率4.5×10-3Ωcm, 载流子浓度2.8×1020cm-3, 霍尔迁移率15.8cm2/V.s, 平均透射率(400-800nm)大于80%.

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