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空间生长半绝缘砷化镓单晶及其应用研究
砷化镓 空间生长 半绝缘
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2008/11/10
在返回式卫星上搭载生长了砷化镓单晶,Hall分析表明空间生长的砷化镓单晶呈半绝缘特性。空间生长的半绝缘砷化镓单晶的结构特性得到了明显改善,均匀性提高。与地面生长的半绝缘砷化镓单晶相比,空间生长的半绝缘砷化镓单晶的化学配比及其均匀性得到了显著改善。以空间生长半绝缘砷化镓单晶为基底,采用直接离子注入工艺制造的模拟开关集成电路的特性好于地面材料。证明半绝缘砷化镓单晶的化学配比对相关器件的性能影响严重。
直径6英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术研究
单晶生长技术 绝缘砷化镓
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2008/11/10
成果一:半导体材料内应力的测试方法重大成果简介:半导体材料内应力的测试方法——投射偏振差分谱法是由反射偏振差分谱法演变而来:用小于测试材料禁带宽度光子能量的线偏振激光光源以特定方向近垂直入射并穿过测试材料,利用光弹性调制器结合检偏器对投射激光的偏振状态进行检测,可以在不旋转样品和任何光学元件的条件下,测量出测试材料表面上相互垂直的两个方向上的光强透射比率差,再结合弹光原理,最终计算出材料内部残余应...
七星华创自主研制成功单晶炉
北京七星华创电子股份有限公司 单晶炉 HG6001
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2006/12/4
中国工业报2006年12月4日报道 日前,北京七星华创电子股份有限公司自主创新研制的HG6001型单晶炉通过调试。HG6001型单晶炉的问世为我国光伏产业、半导体行业提供了更先进的应用设备,其整体设计、制造、安装达到国内领先水平。单晶炉新品的研制成功为七星华创工业炉分公司进一步开拓市场奠定了基础。