搜索结果: 151-165 共查到“材料科学 单晶”相关记录268条 . 查询时间(0.028 秒)
采用显微压痕方法研究了Si、Ge、GaAs和InP四种半导体单晶的变形与断裂行为.通过测量[100]取向单晶体面内的显微硬度、裂纹开裂的临界压痕尺寸以及断裂韧性, 分析了这四种材料力学性能的面内各向异性行为. 结果表明: 在压痕载荷的作用下, Si和Ge的塑性变形以剪切断层为主, 而GaAs和InP则通过滑移系的开动协调变形. [100]取向的Si、Ge、GaAs和InP四种单晶的面内显微硬度、弹...
单晶高温合金DD3的相特征
DD3 单晶高温合金 相成分 γ′相
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2013/10/8
利用物理化学相分析方法研究第一代单晶高温合金DD3的相特征。通过相萃取分析热处理前后γ′相和碳化物相的组成、含量及其结构式,并对比分析不同状态下DD3合金的强化相粒度、基体相成分及元素分配行为的变化。热处理前后的相特征分析表明,热处理不仅提高DD3合金γ′相含量、减小γ′相粒度,还改变合金元素的分配行为,提高γ′相的强度和稳定性。热处理的过程是γ′相得到强化的过程。
TiAl单晶中〈011]超点阵位错滑移的临界分切应力（CRSS）与晶体取向的关系
γ－TiAl单晶 临界分切应力
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2008/3/13
γ－ＴｉＡｌ单晶中, 〈０１１」超点阵位错的运动方向同晶体取向有关, 当沿极射投影图００１－１１０－０１０单位三角形的００１－１１１－０２１区域中的取向变形时, ＳＩＳＦ偏位错为领先位错；而沿三角形中其科区域中的取向变形时, ＡＰＢ偏位错为领域先位错. 在反常温度区域中, 前者的ＣＲＳＳ较高, 形变的热激活焓也较高, 〈０１１」超点阵位错的脱钉过程更为困难, 造成ＣＲＳＳ反常上升的速率较快.
山东大学成功研制3英寸碳化硅单晶
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2008/1/18
科技日报4月30日电一块月饼样大小，硬度仅次于金刚石的灰色的晶体块。这是山东大学晶体材料国家重点实验室刚刚出炉的3英寸碳化硅单晶。该实验室宣布，这是我国在研制2英寸碳化硅单晶获得成功以来，在大直径碳化硅单晶研究方面取得的又一突破性进展。
我国在“十五”期间获得2英寸碳化硅单晶，但更大直径的生长技术进展缓慢。在国家“863”计划支持下，山东大学晶体材料国家重点实验室依靠2英寸碳化硅单晶小...
长春应化所合成世界首例单晶碲化物纳米带
纳米
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2008/1/18
作者：长春应化所 出自：中国科学院网
在国家自然科学基金委、科技部、中国科学院的大力支持下，中国科学院长春应化所稀土化学与物理院重点实验室张洪杰研究员课题组，在一维碲化锑纳米材料合成方法的开发方面取得了重大突破，有关研究成果发表在近期的《美国化学会志》(J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 16490－16491)上。这一研究成果为获得其它低维碲化物纳米结构材料提供了良好思...
科学家首次合成球形单晶陶瓷纳米材料
纳米
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2008/1/17
美国福禄集团公司(Ferro)的奉向东博士和佐治亚理工学院的王中林教授等首次合成了具有规则球状的单晶二氧化铈纳米颗粒，并成功运用于硅晶片高精度平面的碾磨。这一最新成果以长篇报道的形式刊登在6月9日出版的美国《科学》杂志上。新研究不仅在实际应用中大大提高了硅晶片抛光表面的质量，而且在理论上首次论证了形成球形单晶陶瓷纳米材料的可能性。
奉向东是Ferro公司的资深研究员、新技术开发部主管和公司...
通向合成单晶复合氧化物纳米材料的新途径
纳米
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2008/1/8
山东大学晶体材料国家重点实验室的刘宏教授,重庆大学的胡陈果教授和中国国家纳米科学中心海外主任,北京大学工学院先进材料和纳米技术系主任王中林教授近日合作研究中共同发明了一种合成复合氧化物单晶纳米材料的新方法:复合氢氧化物溶剂法。该研究是他们共同合作在美国佐治亚理工学院王中林教授的实验室完成的。他们的方法以熔融的混合碱作为合成介质，以价格低廉的无机盐和氧化物为合成原料，在低于200oC的温度下和常压下...
三英寸SiC单晶研制成功
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2008/1/8
近期山东大学晶体材料国家重点实验室在大直径SiC单晶研究方面取得突破性进展，成功生长出直径3英寸的SiC单晶；2英寸半绝缘SiC单晶衬底达到“开盒即用(epi-ready)”的水平，通过与国内相关单位密切合作，在自主研发的SiC衬底上生长出高质量的GaN/AlGaNHEMT外延材料，2DEG迁移率达到了1800cm2/Vs，器件的输出功率密度达到5.5W/mm的水平。这是国产的SiC半绝缘衬底第一...
直流电场对一种镍基单晶高温合金力学性能的影响
镍基单晶高温合金 直流电场 力学性能
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2007/12/28
采用电场凝固技术在自制电场定向凝固装置上进行电场单晶生长，研究了直流电场对一种镍基单晶高温合金室温拉伸性能和高温持久性能的影响. 结果表明，随着电流密度增大，合金的室温屈服强度明显提高，但抗拉强度无明显改善，且塑性降低；在980 ℃和221 MPa条件下, 高温持久时间显著延长，持久塑性得到改善. 利用扫描电镜和电子探针对该合金的凝固组织、合金成分分布和断口形貌进行了分析.结果表明，直流电场引起枝...
用人工神经网络法预测镍基单晶高温合金的蠕变断裂寿命
镍基单晶高温合金 神经网络
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2007/12/28
根据大量镍基单晶高温合金在不同温度和应力下的蠕变断裂寿命数据, 采用一种先进的人工神经网络方法建立运算模型, 对合金在不同实验或运行条件下的蠕变断裂寿命进行了预测, 并将测算结果与现有其它方法进行了比较. 结果表明, 所建网络能较准确预测第一、二、三代镍基单晶合金的蠕变断裂寿命. 将正交试验分析与网络预测相结合, 获得在982℃/250 MPa下给定合金成分范围的各元素对其蠕变断裂寿命影响程度的排...
疲劳态铜单晶高速形变下绝热剪切带的形成
绝热剪切带 Hopkinson压杆 单晶铜
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2007/12/28
采用分离式Hopkinson压杆(SHPB)实验装置和SEM研究了原始态和疲劳态铜单晶在高应变率下形变的组织演变. 实验结果表明: 原始态铜单晶在高应变率下很难产生绝热剪切带(ASB), 而疲劳态铜单晶容易产生绝热剪切带.驻留滑移带(PSBs)和冲击波引起的应力集中是疲劳态铜单晶高应变率形变下绝热剪切带形成的重要原因, 绝热剪切带的间距和宽度随应变率的增大而减小.
疲劳Cu单晶驻留滑移带的演化及其内应力场
疲劳Cu单晶 驻留滑移带的演化 内应力场
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2007/12/28
利用扫描电镜电子通道衬度(SEM ECC)技术,对单滑移取向疲劳Cu单晶从基体脉络位错结构到驻留滑移带(PSBs)位错结构的演化进行了观察且对这个演化过程中典型的位错结构进行了模拟计算,给出了PSBs演化过程中典型位错结构内应力场的分布结果表明:在从基体脉络位错结构到PSBs位错结构的演化过程中,内应力的分布是不均匀的,位错密集区域(基体脉络和PSBs墙中)比位错贫乏区域(通道中)平均内应力分布相...
镍基单晶高温合金CMSX-2持久拉伸的显微组织形态及力学行为
镍基 高温合金 持久拉伸 显微组织形态
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2007/12/28
在７６０－１０５０℃和７８０－１１５ＭＰａ范围内. 选择不同温度应力配合进行了持久拉伸实验. 研究了温度和应力的变化对试件断裂寿命的影响. 以及温度、应力和断裂寿命与共格相特征尺寸（基体相γ水平通道宽度、筏形析出相γ′厚度）和试件延伸率及断面收缩率的关系, 结果表明, 在各实验条件下, γ′除了进行定向粗化以外, 相邻数裂γ′不可沿外应力轴方向发生不同程度的纵向合并.
铝单晶中位错交割过程的分子动力学模拟
分子动力学模拟 Al 位错交割
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2007/12/27
利用EAM势对含160万个原子的Al单晶中位错的交割过程进行了分子动力学模拟. 结果表明, 当处在不同滑移面上的两个位错相交后, 有可能产生1/3空位或1/3间隙原子, 它们是晶体中的最小点缺陷, 可作为相交位错的节点而单独存在. 也可由1/3空位列或1/3间隙原子构成扩展割阶. 不同类型的位错相交后, 在运动位错的后面可留下一列空位或一列间隙原子, 但也可能不留下点缺陷.