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搜索结果: 1-15 共查到工学 测试方法相关记录295条 . 查询时间(0.311 秒)
本发明公开了一种燃料电池膜电极的透气性测试方法测试池和测试装置。本发明可以测试膜电极在实际运行条件下膜电极的透气量。将膜电极组装在试验测试池中,试验测试池的一侧设有气体的进出口通道,而另一侧则形成测试通道;在试验测试池的两侧分别通入被测气体和载气,并将其载气侧的气体出口通入到气相色谱中,通过气相色谱测试载气中被测气体的含量,从而计算膜电极的透气率。膜电极的透气率测试装置主要由试验测试池和透气率测...
一种多孔介质MacMullin数的测试装置,其可借助自呼吸式单体燃料电池为主要测试装置,利用空气中的氧气作为探针,并通过比较透过待测多孔介质样品与标准样品的氧气浓度来计算待测多孔介质样品的MacMullin数,进而计算物质在待测多孔介质样品中的有效扩散系数。此方法与采用传统的Loschmidt扩散池测量物质在多孔介质中的有效扩散系数相比,具有测试装置简易、测试步骤简便、数据处理简单等优点,且其不需...
本发明涉及一种用于光电成像器件光谱响应辐射损伤的测试方法,该方法涉及装置是由卤素灯光源室、单色仪、投射镜头、矩形分划板、反射镜、平行光管、成像物镜、三维样品调整台和待测光电成像器件制成,本发明利用单色仪输出均匀的单色光,并经过投射物镜将放置在平行光管焦面位置的矩形分划板照亮,再经过反射镜改变光路方向后射入到平行光管,平行光管输出的准直单色光通过成像物镜将矩形分划板成像到光电成像器件的光敏面上,根据...
本发明涉及一种用于横向NPN晶体管辐射损伤的定量分离测试方法,该方法涉及装置是由栅控横向NPN双极晶体管和HP4142半导体参数分析仪组成。本发明在常规双极NPN晶体管的CE结钝化层表面附加栅电极,所加栅电极既不影响器件的双极晶体管特性,又使的器件具有MOS管的特性,测试过程中通过在器件的表面附加一定的电场,使得器件基区表面能级发生弯曲,从而获得表面栅极电压随基极电流的变化趋势。本发明使用附加栅电...
本发明涉及一种用于纵向NPN晶体管电离辐射损伤的定量测试方法,该方法涉及装置是由栅控纵向NPN双极晶体管和HP4142半导体参数分析仪组成,利用附加栅电极半导体工艺,在常规双极NPN晶体管的CE、EB结钝化层表面附加栅电极,所加栅电极既不影响器件的双极常规特性,又使的器件具有MOS管特性,测试过程中通过在器件的表面附加一定的电场,使得器件基区表面能级发生弯曲,从而获得表面栅极电压随基极电流的变化趋...
本发明涉及一种用于光电材料光致发光谱辐射损伤分析的测试方法,该方法中涉及装置是由激光器、第一凸透镜、斩波器、低温样品室、载样铜片、待测光电材料、第二凸透镜、第三凸透镜、光栅光谱仪、探测器、锁相放大器和记录仪组成,利用斩波器斩波的具有频率的非连续激光,经过凸透镜聚焦后打在待测光电材料中心位置,样品受激光激发后发出的光经凸透镜收集聚焦并投射入光栅光谱仪的狭缝入口,经光谱仪分光后经由光电探测器接受信号,...
本发明涉及一种辐照后互补金属氧化物半导体有源像素传感器满阱的测试方法,该方法涉及装置是由静电试验平台、积分球光源、三维样品调整台、样品测试板、互补金属氧化物半导体有源像素传感器样品、直流电源和计算机组成,当样品辐照前的饱和输出小于4000DN时,通过计算样品辐照后所有像素位置的亮场平均灰度值与暗场平均灰度值的差值,绘制光响应曲线,光响应曲线在达到饱和时的像素输出灰度值即为饱和输出,将该值除以转换增...
本发明涉及一种基于热像素的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法,该方法通过对在轨暗场测试采集到的其中任一幅图进行计算,得到该幅图的背景信号SBG和图像饱和信号Smax,然后统计该幅图中信号灰度值介于2SBG和Smax之间的热像素信号个数,对于单个热像素信号计算其最亮像素的灰度值,统计单个热像素的拖尾信号所占的像素个数,并计算单个热像素所占拖尾像素的灰度值之和,再计算单个热像素信号转移到输出端的转移...
本发明涉及一种辐照后互补金属氧化物半导体光子转移曲线和转换增益的测试方法,该方法涉及装置是由静电试验平台、积分球光源、三维样品调整台、样品测试板、互补金属氧化物半导体样品、直流电源和计算机组成,通过调整积分球光源的辐照度和测试软件的积分时间,使两者的乘积为互补金属氧化物半导体的饱和输出,并计算辐照后暗场的平均灰度值和相应的灰度值的时域方差。在亮场条件下,计算辐照后亮场的平均灰度值和相应的灰度值的时...
本发明属于光电器件测试技术领域,涉及一种低温光致发光快速高效测试方法,该方法中涉及装置是由样品室、低温微电机、待测样品、样品架、凸透镜、滤光片、单色仪、入射激光、光致发光、反射激光和探测器组成,通过连接的低温微电机电源开关和转动速度控制电路,使低温样品室内的样品架旋转,让入射激光打在任何一个待测样品上,这样,不但可以保证每一个待测样品发出来的光致发光光路相同,而且只通过一次降温可以测试多个样品,测...
本发明提供了一种用于CMOS图像传感器单粒子闩锁效应测试方法,该方法是由被测CMOS图像传感器、CMOS图像传感器测试板、FPGA、PC机、电流电压监测板和电源的测试系统组成,所述方法能够实现评估CMOS图像传感器不同电路模块的单粒子敏感性,从电路层面分析发生闩锁的具体原因;在地面模拟空间环境辐照试验中,在线实时采集不同电路单元电流电压值,同时采集暗场图像;依据发生闩锁时获得的暗场图像和不同电路单...
本发明提供了一种用于CMOS图像传感器单粒子翻转效应的测试方法。该方法所涉及的测试系统是由PC机和CMOS图像传感器测试板组成,其中CMOS图像传感器测试板由图像和数据接口、现场可编程门阵列、CMOS图像传感器和外围电路组成,在PC机中设置有图像成像软件和寄存器读写软件,PC机中图像采集卡通过数据线与CMOS图像传感器测试板中的图像和数据接口相连,现场可编程门阵列将图像数据映射成标准图像格式传递给...
本发明公开一种垂直腔面发射激光器的外量子效率测试方法,属于光电测试技术领域。本发明提供的方案为:测量垂直腔面发射激光器的光功率随电流变化关系,对垂直腔面发射激光器荧光模式和激光模式区域的数据通过线性拟合获得阈值电流,此外,还需测量垂直腔面发射激光器的光谱,进一步,利用阈值电流和工作波长获得外量子效率随注入电流的变化规律。本发明有以下优点:考虑了注入电流使得波长发生红移这一因素,计算结果精确度更高;...
本发明涉及一种氧/碘超音速混合热流场的测试方法。基于氧碘化学激光器中氧/碘超音速混合热流场的特点,采用高速摄影相机,建立了一种氧/碘超音速混合热流场的测试方法。该测试方法主要包含两部分,一部分是根据氧碘混合热流场中的光谱成分特点,通过一个滤光衰减装置,建立了一套实验测试方法;另一部分是根据氧/碘混合热流场研究的需要和由上述实验测试方法得到的图像,定义了一系列流场定量评价的参数,并由数字图像处理程序...
中国科学院合肥物质科学研究院专利:用于地面无人平台的室内测试方法、系统及计算机设备

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