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2023年3月22日至24日,第五届华人芯片设计技术研讨会(IC Advances in China Workshop,ICAC 2023) 在深圳福田香格里拉酒店举行,南方科技大学深港微电子学院詹陈长副教授在会议上做了题为“A 6.78-MHz Wireless Power Transfer System With Inherent Wireless Phase-Shift Control Wi...
2022年4月2日,西安邮电大学电子工程学院2021年系列学术报告会第一期开讲,西安邮电大学电子工程学院青年教师关云鹤博士及李田甜博士分别作题为《异质结隧穿场效应晶体管研究》《硅基集成光电子器件的研究》的学术报告报告会由学院副院长董军教授主持,来自微电子学系、光电子技术系以及电子信息工程系等教师、研究生参加报告会。
2022年6月29日下午3点,西安电子科技大学微电子学院的刘马良教授,应邀在格物楼502智慧教室为我院师生做了精彩的报告,会议由学院金湘亮教授主持,郑之伟、田海山等老师和研究生参加了此次报告会。刘教授以《硅基光电/超低功耗UWB雷达传感器芯片》为题,介绍雷达传感器的工作原理和主要应用范围,探讨智能硅基光电传感器和超低功耗UWB雷达传感器的研究现状和发展趋势,重点讲述在SPAD单光子雷达传感器和微型...
同步整流技术是采用功率MOSFET来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。同步整流方案减少了开关电源的整体损耗,提高了能效,降低了电源本身发热。同步整流芯片主要应用于输出低压大电流的开关电源。随着智能手机、平板电脑等电子产品的普及,同步整流技术也随之普及。
12月9日,应西安邮电大学电子工程学院陕西省通信专用集成电路设计工程技术研究中心邀请,电子科技大学刘佳欣教授与西安邮电大学电子工程学院集成电路设计与集成系统相关方向的师生进行线上学术交流,并作题为《纳米级工艺下高能效ADC芯片设计》的学术报告。本次报告会通过腾讯会议举行,副院长董军教授主持,西安邮电大学电子工程学院集成电路设计佟星元教授团队、相关学科方向骨干教师秦三团、张戌艳博士、研究生和本科生等...
2021年11月14日,应西安邮电大学电子工程学院陕西省通信专用集成电路设计工程技术研究中心邀请,清华大学叶佐昌研究员与我院集成电路设计与集成系统相关方向的师生进行线上学术交流,并作题为《TED模拟电路硬件设计语言和模拟敏捷设计》的学术报告报告会由学院副院长董军教授主持。
2021年11月12日,西安邮电大学电子工程学院2021年下半学年系列学术报告会第十一期开讲,西安邮电大学电子工程学院青年教师陆芹博士和王少青博士分别作题为《宽禁带半导体氧化镓材料与器件的研究与展望》和《第三代半导体材料及制备工艺》的学术报告报告会由学院副院长董军教授主持,贾一凡、刘祥泰、王湛、李田甜、朱礼鹏等老师以及研究生参加报告会。
2021年10月22日,西安邮电大学电子工程学院2021年下半学年系列学术报告会第十一期开讲,西安邮电大学电子工程学院青年教师贾一凡博士和刘祥泰博士分别作题为《宽禁带半导体氧化镓材料与器件的研究与展望》和《二维氧化镓掺杂特性的模拟研究》的学术报告报告会由学院副院长董军教授主持,新型半导体器件与材料创新团队负责人陈海峰教授及团队骨干成员、武立翻老师等以及研究生参加报告会。
2021年10月15日,西安邮电大学电子工程学院2021年下半学年系列学术报告会第十期开讲,西安邮电大学电子工程学院青年教师董嗣万博士和冯桂荣博士分别作题为《运算跨导放大器结构研究》和《微波无线输能系统中关键技术的研究》的学术报告报告会由学院副院长董军教授主持,吴成茂高工等老师以及研究生参加报告会。
电子设计自动化(Electronic Design Automation,EDA)技术是指包括电路系统设计、系统仿真、设计综合、PCB 版图设计和制版的一整套自动化流程。随着计算机、集成电路和电子设计技术的高速发展,EDA 技术历经计算机辅 助设计(CAD)、计算机辅助制造(CAM)、计算机辅助制造(CAM)、计算机辅助测试(CAT)和计算机辅助工程设 计(CAE)等发展历程,已经成为电子信息产业...
2021年5月28日,西安邮电大学电子工程学院2021年系列学术报告会第六期开讲,西安邮电大学电子工程学院青年教师杨海龙博士、王湛博士分别作题为《超宽带天线的滤波特性的研究》《过渡金属硫化物的可控制备与准二维材料的器件研究》的学术报告报告会由我院相阵控天线技术科研团队负责人李绪平老师主持,来自微电子学系、电子信息工程系以及光电子技术系等教师、研究生参加报告会。
2021年4月9日,西安邮电大学电子工程学院2021年系列学术报告会第二期开讲,西安邮电大学电子工程学院青年教师程开博士及冯桂荣博士分别作题为《低维异质结的理论研究》《面向无线通信的宽带天线技术研究》的学术报告报告会由学院副院长董军教授主持,来自微电子学系、电子信息工程系、光电子技术系等教师以及研究生参加报告会。
碳化硅衬底是第三代半导体材料中氮化镓、碳化硅应用的基石。受技术与工艺水平限制,氮化镓材料作为衬底实现规模化应用仍面临挑战,其应用主要是以蓝宝石、硅晶片或半绝缘碳化硅晶片为衬底,通过外延生长氮化镓以制造氮化镓器件,主要应用于宏基站通信射频领域;而碳化硅材料则主要以在导电型碳化硅衬底上外延生长碳化硅外延层,应用在各类功率器件上,近年来随着技术工艺的成熟、制备成本的下降,在新能源领域的应用持续渗透。碳化...
碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体因高临界击穿电场、高导热率、高电子迁移率等优点,已成为第三代功率半导体的理想材料。宽禁带半导体领域国际会议“International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019”(ICSCRM2019)于9月29日至10月4日在日本京都举行,学院孙伟锋教授团队的刘斯扬副教授、魏家行博士后、李胜博士参...
2018年11月21日,由天津大学牵头,联合中国科学院半导体研究所、上海交通大学共同承担的国家重点研发计划“纳米科技”重点专项“有机二维异质结构的输运性质调控及其微纳器件”青年项目2018年度报告会在天津大学卫津路校区第三教学楼会议室召开。中国科学技术大学院士谢毅,天津大学党委常委、副校长胡文平,天津大学分子聚集态科学研究院院长李振以及项目专家组成员、项目承担单位、合作单位代表等十余人出席会议。年...

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