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半导体深紫外光源的研究在印刷、水净化、医疗、环境保护、高密度的信息储存和保密通讯等领域都有重大应用价值。而以AlGaN合金为有源区的LED的发光波长能够覆盖210-400nm的紫外波段，是实现该波段深紫外LED器件产品的唯一理想材料。同时紫外LED具有其它紫外光源无法比拟的优势。
中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心科研方向新型衬底GaN基材料的外延技术
中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心 科研方向 新型衬底GaN基材料的外延技术 GaN基材料
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2022/10/4
围绕130lm/w以及更高亮度的白光LED的研发目标，通过公关研究，初步建立从新型单晶制备、图形衬底设计加工以及新型衬底GaN基材料外延的技术平台，可以为高效、大功率、高亮度的LED白光照明不断提供新材料支撑技术；掌握各种新型衬底上外延高质量GaN材料的关键技术，成为具有国际一流水平的白光LED基础材料研发中心，为我国半导体照明产业发展提供创新型技术支持。
国家科技支撑计划“半导体照明应用系统技术集成与示范”重点项目是“十二五”新材料领域“半导体照明”重点专项部署的主要内容之一，项目已完成了预期目标，有力地支撑了半导体照明行业的应用示范和产业化工作。该项目突破了一批具有自主知识产权的核心关键技术。目前我国规模化生产的LED灯具光效已超过110 流明/瓦，成本降低至75元/千流明；开发出多种性价比较高的半导体照明产品和系统，并在示范工程中得到应用推广；...
