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搜索结果: 1-15 共查到工学 半导体探测器8相关记录18条 . 查询时间(0.253 秒)
2021年核科学研讨会(NSS)和医学成像会议(MIC)以及室温半导体探测器(RTSD)国际研讨会将于2021年10月16日至23日举行。
复旦大学核辐射探测与测量方法课件 半导体探测器(8)。
复旦大学核辐射探测与测量方法课件 半导体探测器(1)。
近期,中国原子能科学研究院核技术所利用核辐射探测器研发条件项目设备、设施(简称“核辐射探测器研发设施”),相继开展了一系列核探测技术重大科研项目研发工作,标志着该设施已具备为重点科研项目提供技术支撑的能力。该设施包含的半导体探测器工艺线,是中核集团半导体探测器制备工艺研究设备、设施最为齐全的工艺线,它的投运进一步提升了我国先进半导体探测器研发的自主创新能力。
清华大学核辐射物理及探测学课件第九章 半导体探测器
清华大学核辐射物理及探测学课件第十章 半导体探测器
电子束半导体探测器的测量精度易受到射线的能量、剂量率、入射方向和环境温度等条件的影响。此外,电子束测量射野中半导体探测器的存在将干扰均匀射野剂量场的正常分布。通过对P-型电子束半导体探测器在不同的电子束照射条件下的实际剂量测量,定量地评估了不同照射条件下电子束半导体探测器的剂量特性,以及它对电子束均匀照射野扰动的影响。
本文研究了N-I-P型探测器的表面现象与反向电流的关系。若只考虑表面复合速度,忽略反型层的影响,而在电场作用下表面复合速度对光谱性能的影响的计算结果与实验结果又不符合,则说明表面现象不能只用表面复合速度来解释。此外,用克里斯坦森(H.Christenson)方法观察了反型层与沟道的形成,并对反向电流产生的原因作了定性的解释。
本工作主要是通过对大量的金硅面垒型和锂漂移型硅半导体核辐射探测器在空气中、真空中和冷却情况下的测试,了解影响能量分辨率、时间分辨率和使用寿命的因素,掌握探测器的最佳使用条件,从而应用这种探测器进行核反应带电粒子能谱、核衰变能谱及甄别粒子的测量,并取得了一些较好的结果。
一、引言 近几年来,具有p-n结的半导体晶体,在带电粒子的探测方面,巳经得到越来越广泛的应用。与气体电离室和闪烁探测器比较,半导体探测器有如下优点:(1)如硅,产生一对电子与空穴只需要能量3.5电子伏,而在充氩气的电离室中,则需28电子伏。这意味着,半导体探
半导体探测器由于具有对核粒子能量分辨率高等优点,自问世以来引起人们的极大重视。目前,大多数使用者对它最感兴趣的也就是其分辨率较好。因此,分辨率是鉴定半导体探测器性能的一个很重要的指标。 影响分辨率测量结果的因素主要有三个:放射源本身的能量分散,探测器的分辨率及测量设备的影响。为了更确切地反映出探测器本身的分辨率,就要尽量减小放射源及测量设备的影响。
本文介绍了半导体探测器的主要特性的测试结果,半导体探测器谱仪在使用中的一些特性,消除外界干扰的方法。初步明确了半导体探测器的使用条件和方法。
半导体探测器噪声的测量      噪声  半导体探测器       < 2008/12/17
一、引言 半导体探测器是近几年内迅速发展起来的新型探测元件。与其他探测元件相比,它具有很多的优点。主要优点之一,是有良好的能量分辨率。但是,器件给出的讯号幅值较小,在它本身的噪声的干扰下,能量分辨率变坏。为了能够充分发挥器件固有的高能量分辨率这一优点,所以要对探测器的噪声进行研究。 半导体探测器最为重要的电性能是结电容与漏电流。结电容降低了讯号的幅值,漏电流会发生起伏,从而引起了噪声。由漏电流...
采用能量损失计算和分层近似,发展了1套在半导体探测器中的带电粒子发射吸收效率计算方法,计算结果与实验结果符合良好。本文提供了1个可靠估计带电粒子吸收效率的简易方法。
本文叙述了低本底α计数器的结构、调试和性能。该计数器包括三个金硅面垒型半导体探测器(直径为16毫米)和相应的电子学线路,能够同时测量三个样品。它们对~(239)Puα源的效率在30%以上(4π,源的活性区直径为7毫米,源到探测器的距离为2—3毫米),平均本底计数率小于2计数/24小时。

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