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国内首条氮化镓半导体激光器芯片量产线正式投产（图）
氮化镓 半导体 激光器 芯片
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2023/11/12
近日，飓芯科技的氮化镓（GaN）半导体激光器芯片量产线投产发布会在柳州市莲花山庄1号厅举行，柳州市长张壮出席发布会并宣布产线正式投产。中国科学院院士、北京大学教授甘子钊，中国工程院院士、清华大学教授罗毅，广西飓芯科技董事长、北京大学教授胡晓东，副市长汤振国，广西飓芯科技总经理宗华博士，市政府秘书长刘伯臣共同见证。
通信用半导体激光器技术专有性强、工艺复杂度高，至今仍是技术壁垒高、行业垄断性强的高技术领域。我国在光通信模块和系统领域逐渐走在世界前沿，但在高性能光芯片领域，依然主要依赖进口。半导体所王圩院士团队长期致力于通信用半导体激光器芯片的研发，并取得了一系列重要成果。团队在我国率先研制出1.3微米/1.5微米波段激光器和应变量子阱动态单模DFB激光器，使半导体所成为我国通信波段半导体激光器及集成器件的核心...
中国科学院半导体研究所赵德刚研究员团队长期致力于GaN基光电子材料外延生长与器件研究。近年来，团队逐步解决了紫外半导体激光器发光效率低、高Al组分AlGaN的p掺杂困难、大失配外延应力调控以及器件自发热等一系列关键问题，在紫外半导体激光器研制方面取得了一系列重要进展。2016年实现了国内第一支GaN基紫外半导体激光器的电注入激射。2022年研制出激射波长为384nm、室温连续输出功率为2W的大功率...