搜索结果: 16-30 共查到“电子科学与技术 半导体材料”相关记录149条 . 查询时间(0.166 秒)
中国科学院半导体材料科学重点实验室科研成果2022年授权发明专利。
中国科学院半导体材料科学重点实验室科研成果2022年发表论文。
中国科学院半导体材料科学重点实验室科研成果2021年授权发明专利。
中国科学院半导体材料科学重点实验室科研成果2021年发表论文。
中国科学院物理研究所专利：具有巨磁阻效应的稀磁半导体材料及其制备方法
中国科学院物理研究所专利：一种铁磁半导体材料的单晶生长方法
根据近日北京市科委公布的2021年度北京市科学技术奖公报，化学所牵头完成的项目“高迁移率分子半导体材料的设计合成与晶体管器件的基础研究（完成人：刘云圻、于贵、郭云龙等）”获得2021年度北京市科学技术奖自然科学一等奖。
中国科学院福建物质结构研究所专利：含有斜线型萘二酰亚胺单元的n-型有机半导体材料
宁波江丰同芯半导体材料有限公司举行开业暨投产仪式
宁波 江丰同芯 半导体材料
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2023/3/15
据宁波江丰电子材料股份有限公司官微消息，2023年2月18日，江丰电子控股子公司宁波江丰同芯半导体材料有限公司（以下简称“江丰同芯”）举行开业暨投产仪式。
中国科大在二维铁电Rashba半导体材料中取得新进展（图）
二维铁电Rashba 半导体材料
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2022/11/14
2022年10月24日，中国科大杨金龙教授课题组胡伟团队在二维铁电Rashba材料领域取得进展，研究成果以题为“High-Throughput Inverse Design for 2D Ferroelectric Rashba Semiconductors”发表在Journal of the American Chemical Society上。
假而不休，研学不停——之宽带隙半导体材料与器件课题组（图）
宽带隙 半导体材料 半导体器件
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2022/12/28
该课题组由李万俊教授带领，李泓霖副教授、熊元强副教授、叶利娟副教授、张红老师，研究生王璇、李旭东、叶力予以及在研20余本科生组成。课题组主要从事宽带隙氧化物半导体材料生长和物性调控、高性能光电探测器件研制和应用开发等研究工作。课题组每年暑假组织研究生和本科生进行学术研究，学术气氛浓厚。
第三代半导体材料外延及光电子元器件和模块封装项目签约宝鸡凤翔
第三代半导体材料 光电子元器件 宝鸡凤翔
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2022/10/25
2022年3月30日，陕西省宝鸡市凤翔高新技术产业开发区管理委员会与陕西昌瑞新电子科技有限公司举行第三代半导体材料外延及光电子元器件和模块封装项目签约仪式。