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搜索结果: 1-3 共查到半导体技术 RF MEMS相关记录3条 . 查询时间(0.045 秒)
中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心,在自然科学基金、中科院项目的支持下,经过努力探索,制备成功RF MEMS振荡器。
本文提出一种静电驱动直接接触式宽带MEMS开关,包含CPW传输线、双U型金属悬臂梁、触点和锚区,兼顾了开关接触可靠、克服微结构粘连和低驱动电压三大结构可靠性设计因素。本开关为三端口开关,使用低温表面微机械工艺,制作在400μm厚的高阻硅衬底上,芯片尺寸0.8mm×0.9mm。样品在片测试结果表明,在6GHz频点,开关本征损耗0.1dB,隔离度24.8dB,等效开关接触电阻0.6Ω,关态电容6.4f...
RF MEMS开关吸合电压的分析     RF  MEMS  开关       < 2008/10/22
吸合电压是MEMS静电执行器的重要参数,针对RF MEMS开关,详细分析了开关在不同执行方式下的吸合电压. 对于执行电压是脉冲方式而言,开关梁受迫振动,不同于准静态方式,此时使开关发生吸合的执行电压为动态吸合电压,计算表明比准静态吸合电压小8%. 通过简化的弹性系数和精确的电容计算公式,详细分析了基于CPW的双端固支梁开关的准静态和动态吸合电压. 分析了环境阻尼对动态吸合电压的影响,阻尼使得开关的...

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