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近年来，第三代半导体材料氧化镓由于其超大的禁带宽度（~4.9 eV）和超高的击穿场强（~8 MV/cm），在深紫外光电器件和高功率器件领域一直受到大家的广泛关注。但是目前实验室制备的氧化镓电子器件性能还远低于其应用需求，主要是由于其较低的载流子迁移率和较强的激子结合能。为了进一步提升氧化镓光电器件的性能，研究者通常通过构建氧化镓/二维材料异质结界面，借助二维材料超高的载流子迁移率和优异的光学吸收来...

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