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搜索结果: 1-15 共查到材料实验 Cu相关记录30条 . 查询时间(0.14 秒)
利用多靶磁控溅射技术在SiO2/Si基体上沉积Cu/Cu(Ge, Zr)多层薄膜,采用四探针仪(FPPT), X射线衍射仪(XRD), 高分辨透射电镜(HRTEM),X射线光电子能谱(XPS)和原位纳米电子束探针能谱(EDS)表征多层薄膜退火前后电阻率、微观结构和界面成分的演变及行为.结果表明, 在低温退火阶段(<200℃), Cu(Ge, Zr)膜层中Ge与Cu选择性反应形成低阻Cu3Ge相,有...
采用直流电解沉积技术, 制备出具有高密度择优取向的纳米孪晶结构块体Cu样品. 样品由微米级柱状晶粒构成, 晶粒内有高密度的平行于生长基面的共格孪晶界面. 研究发现, 电流密度对于纳米孪晶Cu的晶粒尺寸有明显影响, 但对其织构和孪晶片层厚度影响不大.当电流密度从10 mA/cm2增加到30 mA/cm2, 纳米孪晶Cu的平均晶粒尺寸从10.1μm减小到4.2μm, 孪晶片层厚度为30-50 nm. ...
用显微硬度计、HRTEM和三维原子探针(3DAP)对含Cu和Ni低碳高强度钢等时回火析出的富Cu相进行了研究.结果表明: 回火过程中,基体发生软化, 富Cu相析出, 板条状马氏体逐渐转变成多边形状铁素体; 在500 ℃时富Cu相强化作用达到最大值; 设置不同的Cu等浓度值时, 在400-500 ℃富Cu相的数量变化幅度大, 在500-650 ℃富Cu相的数量基本不变; 在晶界处发生C, Mo, P...
以聚醚砜( PES ) 为膜基质材料, 以粒径分布较均匀的 4A 分子筛为功能颗粒, 采用相转化法制备出了对 Cu2+具有较大吸附容量的膜吸附剂; 研究了 4A 分子筛填充 PES 膜吸附剂对 Cu2+的吸附与脱附性能; 探讨了 4A分子筛填充量、 离子强度、 温度、 pH、 初始浓度等因素对其吸附性能的影响. 结果表明: 膜吸附剂的吸附容量随着 4A 分子筛填充量的增加而增大,当 4A 分子筛质...
采用光学显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)和XRD物相定性分析研究了添加微量Sc和Er对Al-Cu-Mg系合金铸态组织的影响以及作用机制。结果表明:Er,Sc能不同程度细化合金铸态组织。合金中添加Sc元素细化合金铸态组织的机制为凝固时形成的均匀分布的Al3(ScxZr1-x)质点成为αAl结晶时理想的异质核心,起到显著的晶粒细化作用。Er在合金中主要以Al8Cu4Er分布于晶界,并没有观察到Er和...
为了研究不同时效工艺下Al-Cu-Mg-Ag合金强度性能, 根据实测数据集, 应用基于粒子群算法(PSO)寻优的支持向量回归(SVR)方法,建立了SVR预测模型。模型以Al-Cu-Mg-Ag合金时效温度与时效时间为输入,合金的抗拉强度、屈服强度为输出。经过与BP神经网络模型进行比较,结果表明:对于相同的训练样本和检验样本,支持向量回归模型比BP神经网络模型具有更高的预测精度。
在不同浓度配比的HCO3-和SO42-混合溶液中, 利用循环极化电化学测试方法和 SEM, 对Cu工作电极的循环极化行为和点蚀表面形貌进行了系统的研究. 结果表明, 在高电位范围的循环极化实验中, Cu的点蚀行为可分为活性溶解型点蚀和钝化膜破裂型点蚀; 随SO42-浓度的升高Cu点蚀的敏感性增大. 由于HCO3-与SO42-的协同作用, 随HCO3-浓度升高点蚀敏感性呈先增大后减小的规律. 在钝化...
通过铝热法制备了Cu含量为2%,4%,6%(质量分数,下同)的Fe3Al-10%Ni块体纳米晶材料,用光学显微镜(OM),电子探针(EPMA),X射线衍射仪(XRD)和透射电镜(TEM)表征了材料的微观结构,并测定了材料的维氏硬度和室温压缩性能。结果表明:Cu含量低(2%)时,合金保持无序bcc结构,晶粒尺寸显著下降;高Cu含量(4% 和6%)使合金发生B2型有序化转变。添加Cu元素提高了材料的...
采用硬度测试、 光学显微镜 、 透射电 镜等研 究了 时效 过程中 外加 应力对 A l  C u  M g  A g 合 金组织 与性 能的影响。结果表明, 在应力时效和无应力时效的条件下, 合金组织中均发生了完全再结晶, 时效过 程中施加 外应力没有改变合金再结晶晶粒的形貌, 但对析出相有较大影响。在应力时效条件 下, 合 金中   相和  相均沿某 一方向呈择优取向析出, 即有应...
通过硬度检测和透射电镜(TEM)观察,研究低Cu/Mg质量比Al-Cu-Mg合金时效强化机理,建立神经网络预测模型,使其在实验条件范围内对时效力学性能进行有效预测。在实验基础上,采用Levenberg-Marquardt算法训练神经网络,建立以时效温度与时间为输入参数和硬度为目标函数的函数关系。结果表明:预测值与实验结果吻合较好,并证明了网络的可靠性与泛化能力;当时效温度越高时,达到峰值时效的时间...
采用 T - i Z r -C u - N i 在 9 60e / 1 m i n 、 9 60e / 10m i n 和 9 60e / 60m i n 三种 规范 下真 空钎 焊 T i3A l / T i3A , l 在 9 60e /5 m i n 和 96 0 e / 2 0 m i n 两种规范下真空钎焊 T i3A l / G H 53 6 。实验结果表明, 随着保温时间的延长, T...
利用SEM和EDS研究了Cu/Sn--58Bi/Cu焊点在电流密度为5×103 A/cm2, 80℃条件下晶须和小丘的生长. 通电540 h后, 在焊点阴极界面区出现了钎料损耗, 同时形成了晶须, 而在阳极Cu基板的钎料薄膜上形成了大量弯曲状晶须和块状小丘. EDS检测表明, 这些 晶须和小丘为Sn和Bi的混合物. 通电630 h后, 阳极上的晶须和小丘数量明显增多, 原来形成晶须的尺寸和形状没有...
在酸性溶液中对经一种Mannich碱处理的Cu粉进行了腐蚀实验. 热分析结果表明, 原始Cu粉在200℃开始氧化, 而经处理的Cu粉从300℃开始氧化. X射线光电子能谱分析表明, 该Mannich碱与Cu2+形成配位化合物吸附在Cu粉表面, 形成Cu/缓蚀膜结构, 通过覆盖效应抑制了腐蚀. 设计实验分离出该Mannich碱与Cu粉的直接反应产物, 并制备了Mannich碱与Cu2+的配合物. 配...
结合纯金属单原子(OA)理论和Debye-Gruneisen模型, 采用CALPHAD方法确定的晶格稳定参数, 研究了SGTE纯单质数据库中fcc-, hcp--和bcc- Cu的原子状态及物理性质(原子势能、原子动能、原子体积、体弹性模量和热膨胀系数等)随温度的变化关系. 结果表明: 电子结构计算结果与第一原理方法非常接近. 3种晶体结构的电子结构差别不大, 单键半径非常接近. 原子体积顺序为:...
对于Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜,Cu原子偏聚到NiFe/FeMn界面将导致自旋阀多层膜中NiFe/FeMn的交换耦合场Hex下降.然而,少量的表面活化原子Bi被沉积到Cu层和被钉扎NiFe层之间,Cu原子在NiFe/FeMn界面的偏聚可以被抑制;而且,更重要的是Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜中的交换耦合场Hex可以被有效地提高.

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