搜索结果: 1-15 共查到“工学 效应”相关记录2793条 . 查询时间(0.401 秒)
中国科学技术大学提出新型场效应调控光电二极管用于光通信与光计算（图）
场效应调控 光电二极管 光通信 光计算
<
2024/5/29
随着人工智能时代的到来和数字化转型的深入发展，对用于高速数据传输和高性能数据计算的半导体芯片的需求不断增长。其中，以光子作为信息载体的光电集成芯片及其相关技术的潜力正不断被挖掘和开发，凸显出它们在突破现有电子系统技术瓶颈与极限的可能性。光电二极管作为光电集成芯片中必需的基本元件，已被广泛应用于发光二极管（LED）、激光器、探测器等。然而，无论是作为发光单元还是探测单元的光电二极管，均需配置相应的外...
云南天文台在日冕磁流体力学波棱镜效应方面获得新进展（图）
流体力学 激光器
<
2024/4/20
透镜效应是一种很常见的物理现象，它能够把电磁波或者声波汇聚在焦点处。声学透镜在生物医学、癌症治疗等方面具有重要的应用价值。海洋中较浅区域水域也可形成透镜，海浪在通过浅水区域时，它们的振幅和能量将在焦点处增强从而导致海啸的发生。人们利用光学镜头对光操作实践了多个世纪，已经发展出一个成熟的镜头制造行业，例如制造相机、望远镜、显微镜和激光器。 在广义相对论中，光线遵循时空曲率，其路径会围绕大质量物体弯曲...
中国科学院物理研究所笼目六角反铁磁Mn3Ga单晶室温大反常霍尔效应（图）
铁磁 霍尔效应 电子学器件
<
2024/4/16
笼目（kagome）结构磁性材料具有独特的准二维晶体结构、可调控的拓扑能带结构和磁结构，从而表现出大的反常输运行为、磁斯格明子、手性反常等诸多新奇的物理特性。其中，笼目六角反铁磁Mn3X（Ga、Ge、Sn）合金具有拓扑能带结构，可以表现出大的磁电响应效应。同时，兼具反铁磁无杂散场、本征频率高等特性，是新型反铁磁自旋电子学器件理想的候选材料。近年来，Mn3Sn和Mn3Ge在实验上已经相继被证实其具有...
中国科学院全氮化物铁磁/超导界面近邻效应研究获进展
氮化物铁磁 超导界面 凝聚态物理
<
2024/4/11
超导体（S）和铁磁体（F）之间的界面是凝聚态物理研究的热点。二者界面耦合产生了较多有趣的物理现象。S/F界面的磁近邻效应是由界面两侧的电子自旋之间的交换相互作用，导致抑制磁序或出现非传统超导电性。当磁性材料靠近超导体时，磁场进入超导体内仅几纳米的区域并破坏库珀对，致使界面的超导行为发生空间变化，影响两侧材料的宏观物理特性。当前，超导自旋电子学已成为新兴领域，对实现无耗散自旋逻辑和存储技术具有重要作...
中国科学院物理研究所二维vdW体系低压力驱动的可逆巨压卡效应（图）
固态体系 相变过程
<
2024/4/16
由磁场、电场、静水压力场、单轴应力场等外场驱动固态体系发生相变从而产生的热效应为固态卡效应（磁卡、电卡、压卡及弹卡效应），借助这些效应，能够获得清洁高效的新型制冷手段。在压卡材料中，多元醇塑晶的出现使卡效应大小实现数量级的提升，数值与商用制冷剂氟利昂持平。然而，由于其固有的紧密三维氢键结构，使相变过程中体积变化较小，对压力响应不敏感，同时两相间较大的几何不兼容性引起显著的相变滞后效应，造成低压力场...
中国科学院金属所通过外延应变调控铁电极化 实现巨大隧穿电致电阻效应
铁电极化 器件结构 半导体电极材料
<
2024/3/15
铁电隧道结具有简洁的金属-超薄铁电-金属叠层器件结构。铁电隧道结利用铁电极化翻转调控量子隧穿效应以获得不同电阻态，从而实现数据存储功能。由于铁电极化亚纳秒尺度的超快翻转以及紧凑的交叉阵列结构，铁电隧道结具有高速读写、低功耗和高存储容量等优点，近年来在信息存储领域备受关注。隧穿电致电阻 （或开关比）是衡量隧道结性能的核心指标。2005年，理论模型提出，隧穿电致电阻与界面电荷屏蔽效应、铁电极化强度等相...
中国科学院大连化学物理研究所发现氧化物催化剂与氧化物载体间的界面限域效应（图）
氧化物催化剂 界面 纳米
<
2024/3/18
2024年3月6日，中国科学院大连化学物理研究所催化基础国家重点实验室纳米与界面催化研究中心（502组群）包信和院士、傅强研究员团队在界面限域催化研究方面取得新进展，发现开放的TiO2等氧化物载体表面能够提供限域环境，驱动In2O3颗粒在CO2加氢反应气氛中自发单分散为高活性InOx纳米层结构。
中国科学院金属研究所外延应变调控铁电极化实现巨大隧穿电致电阻效应（图）
铁电极化 半导体 界面
<
2024/3/18
铁电隧道结具有简洁的金属-超薄铁电-金属叠层器件结构，它利用铁电极化翻转调控量子隧穿效应来获得不同电阻态，从而实现数据存储功能。由于其中铁电极化亚纳秒尺度的超快翻转以及紧凑的交叉阵列结构，铁电隧道结具有高速读写、低功耗和高存储容量等优点，2024年来在信息存储领域受到广泛关注。隧穿电致电阻 (或开关比) 是衡量隧道结性能的核心指标。2005年理论模型指出，隧穿电致电阻与界面电荷屏蔽效应、铁电极化强...
中国科学院力学研究所在边界裂纹分岔与裂纹屏蔽效应研究方面取得进展（图）
边界裂纹 结构材料 非线性力学
<
2024/3/17
裂纹无处不在。防范结构材料在承载过程中的断裂失效，需要对裂纹扩展中的扩展模式、扩展路径、裂纹之间的相互作用等有深入的认识。由于结构的不均匀性和加载情况的复杂性，裂纹往往从结构材料的边界形成、扩展、偏转、分岔、甚至出现多个裂纹，而这些不同的过程，有于裂纹间的相互作用，对后续的裂纹的破坏模式产生决定性影响。也因此给断裂失效预测带来挑战。
为提升现代单极型功率二极管的性能,进一步突破“硅极限”,通过加大传统JBS二极管中P+区结深,引入超级结结构以减薄芯片厚度,缓解传统单极型器件通态压降与反向阻断电压之间的矛盾,提高单位面积器件的导通电流密度。使用数值方法分析了超级结JBS二极管中P柱区浓度、N柱区宽度和N柱区浓度对正向导通特性以及反向阻断特性的影响,应用电场耦合效应理论分析了超级结JBS二极管的正向导通和反向阻断机理,设计了一款3...
中国科学院大连化学物理研究所专利：甲醇耦合的烷烃催化转化反应耦合效应评价方法及装置
中国科学院大连化学物理研究所 专利 甲醇耦合 烷烃 催化转化 耦合效应
<
2024/1/25
一种甲醇耦合的烷烃催化转化反应的耦合效应评价方法，用于测定甲醇及其脱水转化反应产物对烷烃催化转化的耦合效应；主要过程是：通过质量流量计来控制不同流速载气流过含有烷烃或甲醇饱和发生器而携带出原料蒸汽，将蒸汽以脉冲方式进入反应器，获得不同接触时间条件下甲醇耦合烷烃催化转化的反应转化率和烷烃单独催化转化的反应转化率，并根据甲醇耦合烷烃催化转化的反应转化率和烷烃单独催化转化的反应转化率分别计算出上述两种催...
南京大学现代工学院杨玉荣、吴迪团队发现正、负压电和抛物线压电效应（图）
压电 抛物线 压电效应
<
2024/4/8
近日，南京大学现代工程与应用科学学院杨玉荣、吴迪团队在HfO2基薄膜中发现了可调的正、负一阶压电效应和二价抛物线压电效应，并且可以用外延应变的来控制压电效应的大小和正负性。这些发现拓宽了压电效应的知识范畴和应用领域。
本发明提供一种基于仿真的锗硅异质结双极晶体管单粒子效应检测方法，该方法构建合理的锗硅异质结双极晶体管器件模型和网格；对构建的锗硅异质结双极晶体管器件模型的半导体器件特性进行仿真；开展锗硅异质结双极晶体管模型关键电学参数校准；在器件模型表面选取典型入射位置，开展单粒子效应物理模型仿真；分析不同位置下各电极电流和电荷收集与时间的关系，及不同位置漏斗势的变化情况，获得锗硅异质结双极晶体管对单粒子效应的敏...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种提高器件抗电离辐射总剂量效应的方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 器件 抗电离辐射 总剂量效应
<
2024/1/12
本发明涉及一种提高器件抗电离辐射总剂量效应的方法，包括以下步骤：1)制作单层结构复合材料：2)制作多层结构复合材料：3)测量电子束在复合材料中的透射系数：4)采用蒙特卡洛粒子输运方法模拟计算材料的理论透射系数：5)修正电子透射系数；6)采用屏蔽效果最好的复合材料，在器件的相应芯片处进行二次封装。本发明在保证屏蔽效果最好的同时，使封装质量最小，可提高航天器器件抗电离辐射总剂量效应。
本发明涉及一种基于仿真的锗硅异质结双极晶体管抗单粒子效应加固方法，该方法构建三维损伤模型，校准模型的关键电学参数，通过设计的抗辐射加固方法，延伸器件集电极-衬底结，引入伪集电极，利用SRIM软件模拟单个离子入射器件，获取线性能量传输值随器件深度的变化，编写线性能量传输值文件并嵌入器件模型，选取离子的典型入射位置，分别开展加固与未加固器件模型的单粒子效应仿真，将加固前器件模型作为参照，与加固后器件模...