搜索结果: 1-15 共查到“CMOS”相关记录311条 . 查询时间(0.163 秒)
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中国科学院深圳先进技术研究院丝网印刷钙钛矿CMOS面阵探测器实现高性能动态X射线成像(图)
钙钛矿 探测器 高性能动态 X射线成像
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2024/6/23
2024年3月6日,中国科学院深圳先进技术研究院与华中师范大学合作,在权威刊物Nature Communications在线发表研究论文“Dynamic X-ray imaging with screen-printed perovskite CMOS array”。 团队经过两年多的联合攻关,先后解决了钙钛矿半导体晶体生长动力学、专用低暗电流CMOS像素芯片、数据读出与图像后处理等一系列关键挑战...
中国科学院新疆理化技术研究所专利:一种基于通道分离的大面阵彩色CMOS图像传感器辐照后饱和灰度值评估方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 通道分离 大面阵 彩色CMOS图像传感器 辐照饱和 灰度值评估
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2023/12/21
中国科学院新疆理化技术研究所专利:一种基于通道分离的大面阵彩色CMOS图像传感器辐照后暗电流评估方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 通道分离 大面阵 彩色CMOS图像传感器 辐照后暗电流
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2023/12/13
中国科学院新疆理化技术研究所专利:一种不同光强对CMOS图像传感器像素单元满阱容量影响的仿真方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 不同光强 CMOS图像传感器 像素单元 满阱容量 仿真方法
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2023/12/7
中国科学院新疆理化技术研究所专利:一种不同光强对辐照后CMOS图像传感器像素单元满阱容量影响的仿真方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 不同光强 CMOS图像传感器 像素单元 满阱容量 仿真方法
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2023/12/7
中国科学院新疆理化技术研究所专利:一种CMOS图像传感器像素单元多次脉冲读取电荷传输效率仿真方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 CMOS图像传感器 像素单元 多次脉冲 电荷传输 效率仿真
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2023/12/7
中国科学院合肥物质科学研究院专利:具有光斑脱靶量实时计算功能的高速CMOS相机
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 光斑脱靶量 实时计算 高速CMOS相机
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2023/11/13
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微电子所在新型纳米环栅CMOS工艺与器件技术方面取得重要进展(图)
纳米 器件 集成电路
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2024/2/29
随着集成电路制造技术持续演进,堆叠纳米片环栅场效应晶体管(Stacked Nanosheets GAA FET)在3纳米以下节点将替代传统鳍型晶体管(FinFET),从而进一步推动半导体产业发展。但面对大规模制造的需求,GAA晶体管技术还需突破N型与P型器件工作电流(Ion)严重失配和阈值电压(Vth)调控困难等关键挑战,对纳米片沟道材料以及高 金属栅材料提出了更多技术创新要求。因此,针对GAA晶...
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南方科技大学深港微电子学院李毅达课题组在Nature Communications上发表了CMOS后道集成和氧化物半导体领域的重要进展(图)
李毅达 Nature Communications CMOS 后道集成 氧化物半导体
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2023/11/29
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CMOS高性能数据转换器设计培训受到工程师欢迎(图)
CMOS 数据转换器
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2023/11/28
中国科学院微电子研究所专利:双金属栅极CMOS器件及其制造方法
中国科学院微电子研究所 专利 双金属 栅极CMOS器件
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2023/7/7
中国科学院微电子研究所专利:抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路
中国科学院微电子研究所 专利 单粒子 瞬态脉冲 CMOS电路
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2023/7/7