搜索结果: 1-3 共查到“电子科学与技术 IEEE EDL”相关记录3条 . 查询时间(0.059 秒)
近日，南方科技大学电子与电气工程系陈树明课题组2018级光电专业本科生陈昶元作为第一作者在电子器件顶级期刊IEEE Electron Device Letters上发表了题为“Al reaction-induced conductive a-InGaZnO as pixel electrode for active-matrix quantum-dot LED display”的研究论文。论文提出...
山东大学微电子学院宋爱民、辛倩课题组发表IEEE EDL封面文章
薄膜晶体管 集成电路 互补型 CMOS
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2021/1/4
近日，微电子学院宋爱民、辛倩课题组在互补型（CMOS）薄膜晶体管集成电路研究领域取得了突破性进展，相关结果以“Thin Film Sequential Circuits: Flip-Flops and a Counter Based on p-SnO and n-InGaZnO”为题，发表在国际微电子器件领域的顶级期刊IEEE Electron Device Letters，并选为该期封面文章。论...
西安电子科技大学郝跃院士团队发表2019年IEEE EDL封面文章（图）
西安电子科技大学 郝跃 院士 2019年 IEEE EDL 封面文章 微电子 负电容 铁电场效应 晶体管
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2019/1/25
近日，西安电子科技大学微电子学院郝跃院士团队在负电容铁电场效应晶体管（FeFET）研究领域取得突破性进展，创新性提出并实现了新型纳米晶铁电材料（Nanocrystal-Embedded-Insulator，NEI）FeFET。该研究工作发表在IEEE Electron Device Letters2019年第一期，并选为封面文章突出报道。FeFET是利用铁电材料作为器件栅介质，实现非易失存储器或者...