搜索结果: 1-1 共查到“核聚变工程技术 IDT6116”相关记录1条 . 查询时间(0.057 秒)
为评估IDT6116SRAM单粒子敏感性，采用地面试验方法和地面试验系统，利用脉冲激光、重离子和252Cf源3种不同的地面模拟源，对IDT6116SRAM器件进行单粒子敏感性试验研究，并对3种不同的模拟源的试验结果进行等效性分析比较，同时进行总剂量效应对单粒子效应影响的试验研究。研究结果表明：IDT6116SRAM抗单粒子翻转和锁定的能力较强；接受一定辐照剂量后的试验样品对单粒子翻转更加敏感，且...
