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Si衬底GaN基多量子阱外延材料的TEM研究     GaN  Si衬底  位错  TEM       < 2013/11/8
本文采用高分辨透射电子显微技术对在Si衬底生长的GaN基多量子阱外延材料的位错特征、外延层与衬底的晶体取向关系及界面的结晶形态等微观结构进行了分析和研究。结果表明:Si衬底生长的GaN与衬底有一定的取向关系;材料在MQW附近的穿透位错密度达108cm-2量级,且多数为刃型位错;样品A的多量子阱下方可见平行于界面方向的位错,本文认为这可能是由于AlN/Si界面上的SixNy形成的多孔形态促使外延层进...
采用透射电镜(TEM)研究了高温轧制、中温轧制以及轧制后退火态Fe-6.5Si合金的有序化和微观组织,探讨了该合金有序相和微观组织对常温脆性的影响:结果表明.轧制及退火工艺的不同虽然可以明显改变Fe-6.5Si合金的微观组织及其有序相的尺寸和形态,但是各处理态下均未能完全抑制有序相的形成,同时中温轧制时,该合金中存在严重的应力集中.
利用透射电镜(TEM)原位拉伸在室温下对(110)〖110〗取向Ni3Al合金单晶中裂纹的萌生与扩展进行了研究.结果表明:裂纹沿之字形路径扩展且裂纹的总体扩展路径与拉伸轴平行.迹线分析表明,首先激活的是(111)和(111)两个主滑移面上的滑移系;其后在Schmid因子为零的两个滑移面上的滑移系激活.为了解释所观察到的现象而建立了一个位错塞积模型.
通过对定向凝固Ni-20Al-30Fe合金进行的TEM原位拉伸观察得出, 塑性γ相向脆性β相的形变形传递是促进B2结构β相进行塑性变形的内在机制. 首次在该合金中观察到变形的相界弯折, 相内的位错来自于这些相界弯折. 两相间的变形传递并不限定在K-S关系中的平行晶面进行, 位错同位界的作用过程, 存在相界对位错吸收以及发射的现象.
文章摘要: 通过在透射电镜中原位加热,研究了高纯Fe单晶主裂纹附近微裂纹的愈合过程结果表明:加热到973 K以上,微裂纹(0.25或2 μm)开始愈合;在1023 K停留100 s,微裂纹可完全愈合
文章摘要: 本文采用TEM原位拉伸技术研究了处于不同取向的全层状结构的Ti-49%Al(原子分数)合金(PST晶体)的断裂机制, 结果表明:PST晶体裂纹萌发及扩展机制强烈依赖于PST晶体的晶体学取向, 裂纹尖端位错发射能力的不同和界面的约束是造成不同取向PST晶体具有不为断裂机制的根本原因.
文章摘要: 采用真空感应熔炼制备Al-6Mg-0.4Mn-0.2Sc-0.1Zr-0.1Cr(质量分数,%)合金,研究了冷变形态合金分别在350, 400, 450和500℃退火1 h后微观组织和力学性能的变化.TEM观察表明, 冷变形态的合金组织为交错缠结的位错胞经过350℃退火后位错在晶界规律排列, 密度大大降低, 发生回复, 晶粒保持在500 nm以下.在400-500℃...
文章摘要: 分析了Li加入Al--Mg--Si体系后相的析出和组织变化, 计算了几个典型的相图截面, 并对三种典型合金进行了TEM观测验证. 相图计算表明, Li加入Al--Mg--Si体系后, 在平衡状态下, δ为主要析出相, 还形成富Si相AlLiSi和Mg2Si; 在非平衡的实际析出状态下, 亚稳相δ'成为主要析出相. δ'相的析出抑制Mg2Si的形成...
Purpose: The reason for writing this paper was to describe the influence of Ni addition on the microstructure of structural steels after tempering. In this investigation, four model alloys of the vari...
用自制的恒位移加载台,在TEM中原位观察了α-Ti在Hg蒸汽中放置前后加载裂纹前端位错组态的变化以及脆性微裂纹的形核和扩展,并和α-Ti在TEM中原位拉伸的结果进行了比较.结果表明:加载裂纹吸附Hg原子后能促进位错的发射、增殖和运动;当吸附促进位错发射和运动达到临界状态时,脆性微裂纹就在原裂纹顶端或在无位错区中形核并解理扩展.α-Ti在TEM中原位拉伸时,只有当热激活或外应力促进的位错发射和运动达...
采用TEM拉伸方法,对22Mn-13Cr-5Ni-0.2N钢断裂中出现的裂纹Z字形扩展进行了原位分析结果表明:在拉伸中裂纹Z字形扩展是由材料〔111〕面相对滑动和沿〔100〕面开裂两种方式交替进行完成的这种扩展方式同晶体与外力取向有关.

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