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单晶与多晶NbSi2在1023 K氧化行为的对比 NbSi2 氧化单晶粉化现象 < 2008/8/1

选择NbSi2的单晶、放电等离子烧结(SPS)多晶和电弧熔炼多晶样品在1023 K下氧化, 研究了微裂纹、孔隙和晶界对NbSi2氧化行为的影响.结果表明, 含有大量微裂纹的电弧熔炼多晶样品经3 h氧化后完全粉化, 而单晶和SPS样品经89 h氧化亦未出现粉化. 无论是单晶还是多晶样品, 氧化产物均为Nb2O5和SiO2, 生成的Nb2O5易剥落, 样品的氧化动力学曲线均呈直线规律, 证明NbSi2...