搜索结果: 1-15 共查到“材料科学 Ge”相关记录17条 . 查询时间(0.069 秒)
Cu/Cu(Ge, Zr)/SiO2/Si多层膜界面可控反应及热稳定性研究
Cu(Ge, Zr)薄膜 界面反应 选择性自反应 热稳定性
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2013/11/21
利用多靶磁控溅射技术在SiO2/Si基体上沉积Cu/Cu(Ge, Zr)多层薄膜,采用四探针仪(FPPT), X射线衍射仪(XRD), 高分辨透射电镜(HRTEM),X射线光电子能谱(XPS)和原位纳米电子束探针能谱(EDS)表征多层薄膜退火前后电阻率、微观结构和界面成分的演变及行为.结果表明, 在低温退火阶段(<200℃), Cu(Ge, Zr)膜层中Ge与Cu选择性反应形成低阻Cu3Ge相,有...
使用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)设备在Si衬底上生长多层Ge量子点, 用双晶X射线衍射(DCXRD)、拉曼光谱(Raman)等手段表征在不同条件下快速热退火的Ge量子点材料的组分、应力等特性, 研究了快速热退火对多层Ge量子点晶体质量的影响。结果表明: 随着退火温度的升高, 量子点中Ge的组分下降, 量子点应变的弛豫程度加剧。在1000℃退火20 s后, 量子点材料已经完全弛豫。
新型Au-Ag-Ge钎料的性能及焊接界面特征
Au-Ag-Ge 钎料 润湿性 焊接界面
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2009/8/27
根据Au-Ag-Ge三元相图，制备2种新型钎料合金Au-19.25Ag-12.80Ge和Au-21.06Ag-13.09Ge(质量分数，%)。利用差热分析仪和Sirion200场发射扫描电镜对钎料的熔化特性及显微组织进行分析，并对其与纯Ni的润湿性加以研究。研究结果表明：Au-19.25Ag-12.80Ge合金的性能较好，其熔化温度范围为446.76~494.40 ℃，结晶温度区间为47.64 ℃...
Ge-Ga-S-CdS玻璃的电致二次谐波发生特性
Ge-Ga-S-CdS玻璃 电致二次谐波 特性
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2009/3/12
用熔融-急冷法制备了Ge14Ga3S37(CdS)3硫系玻璃样品,使用Maker条纹法观察了电场-温度场极化样品中的二次谐波发生(SHG)现象,研究了极化条件对SHG强度的影响、该效应产生的机理以及SHG现象室温下的稳定性.结果表明,极化样品中存在明显的二次谐波发生现象,入射角在±(40～50)°左右时,SHG的相对强度出现最大值;SHG的强度随着极化电压的增大和极化时间的延长而逐渐增强并渐趋饱和...
Ge组分渐变的Si1-x-yGexCy薄膜的制备
Ge组分渐变的Si1-x-yGexCy薄膜的制备
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2009/3/12
用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上外延生长了Ge组分最高约0.40的组分渐变的Si1-x-yGexCy合金薄膜,研究了生长温度等工艺参数的影响.结果表明,生长温度和C2H4分压的提高均导致薄膜中碳组分的增加和合金薄膜晶格常数的减小,这表明外延薄膜中的C主要以替位式存在.C掺入量的变化可有效地调节薄膜的禁带宽度,而提高生长温度有助于改善Si1-x-yGexCy薄膜的的晶体质量.组分渐变的Si1...
Ge和Ge-Al合金团簇的光致发光（图）
Ge Ge-Al合金团簇 光致发光
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2009/2/2
利用气体聚集法和共蒸发技术，制备了由直径为10NM左右均匀GE团簇构成的致密纳米结构薄膜及嵌埋于GEAL纳米薄膜中的晶态GE纳米团簇。这些GE团簇具有表面氧化层包裹，氧化层的厚度约为2纳米。由于量子约束效应，GE团簇的基本光学吸收的吸收边发生2EV左右的蓝移。并观察到GE团簇构成纳米结构在蓝光区由于量子约束而产生的光致发光以及在紫光到红光的宽广波长范围内光致发光谱的多峰结构。发光成分是与表面氧化层...
非化学计量比MnFe（P, Si, Ge）合金在低场下的磁热效应
MnFe(P, Si, Ge)合金 非化学计量比 Curie
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2008/12/10
通过XRD和磁性测量对非化学计量比MnFe(P, Si, Ge)合金的相组成和磁性进行了研究.XRD分析表明, 所有样品都具有Fe2P型六角结构, 主相为(Fe, Mn)2(P, Si, Ge), 并存在少量的第二相(Fe, Mn)3(Si, Ge). 过量的Mn和Fe都会使合金的Curie温度降低, 由343 K(化学计量比)降低到294 K(过量Mn)和286 K(过量Fe); 过量的Mn能减...
微量 Ge 对大气下液态锡抗氧化性能的影响
锡 氧化
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2008/12/9
本文用观察液态锡表面氧化行为和撇取表面氧化渣的方法研究了微量元素 Ge 对液态 Sn在 大气和250 ℃条件下表面抗氧化性能的影响，并与纯锡的氧化行为进行对比；配合 X 射线光电子能谱仪（XPS）、扫描电子显微镜（SEM） 研究了合金表面元素的含量、价态，及合金氧化后的表面形貌。结果表明当微量元素 Ge 浓度达到0.01 wt% 时，大气下液态锡表面具有很好的抗氧化性能， 同时微量元素元素在液态锡...
Fe-Mn-Ge合金γ→ε马氏体相变的研究
Fe-Mn-Ge合金 ε马氏体 堆垛层错
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2008/10/9
利用金相组织观察、透射电子显微镜(TEM)分析和点阵参数测定方法研究了Ge含量对Fe-24Mn合金马氏体相变和显微组织结构的影响.结果表明,Fe-24Mn合金在冷却过程中产生大量的ε马氏体.在较低Ge含量合金中的后形成马氏体可以穿越或终止在另一取向的先形成马氏体片中.宽大的马氏体片是由大量相互平行的层错构成.随Ge含量的增加,马氏体片之间以交截或平行为主.这一结果表明:Ge的加入使Fe-24Mn合...
Microwave magnetoresistance in Ge:Mn nanowires and nanofilms
spin waves magnetic diluted semiconductors nanostructures spin dynamics magnetoresistance
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2010/10/12
The Lorentzian and spin-scattering components of magnetoresistance were found and
distinguished in Ge:Mn thin films. The suppression of microwave magnetoresistance by the
limitation of the dimension...
Rational design of new materials for spintronics: Co2FeZ (Z = Al, Ga, Si, Ge)*
Heusler compounds electronic structure intermetallics half-metallic ferromagnets
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2010/10/13
Spintronic is a multidisciplinary field and a new research area. New materials must be found
for satisfying the different types of demands. The search for stable half-metallic ferromagnets
and ferro...
Sb-Se系和 Ge-Sb-Te 系相变光盘记录介质的热力学参数、微观结构及光学性能
相变光盘 记录介质 热力学参数
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2007/12/20
文章摘要：
利用DSC，X射线衍射及分光光度计，对Sb-Se系和Ge-Sb-Te 系记录介质的热力学参数、非晶态薄膜相变前后结构的变化及光学性能进行了系统的研究。结果表明：Sb-Se系非晶态的光稳定性很不理想，随着波长的改变，反射率变化太快。对于Ge-Sb-Te 系的两种波段处都有较大的反衬度，其非晶态光稳定性也比较理想。随着波长的改变，反射率变化不大。
硫系Ge-As-S玻璃和薄膜的特性
Ge-As-S体系 块体玻璃与PLD薄膜
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2007/10/26
文章摘要：
用差热分析、X射线衍射分析和透射光谱分析等手段研究了硫系Ge-As-S玻璃和薄膜的性能。结果表明，Ge-As-S体系的成玻能力较强，在空气中自然冷却就能成玻，其（Tg -Tc）/ Tg 值为0.127~0 278。经激光辐照后的Ge-As-S玻璃薄膜的透射光谱曲线向短波方向移动，且平移的大小随激光功率的增加而增加。薄膜的透射光谱线的平移表明激光辐...
Sn掺杂Ge--Sb--Te相变薄膜的晶化特性
无机非金属材料 Ge2Sb2Te5 Sn掺杂 热致相变
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2007/10/26
文章摘要：
用磁控溅射法制备了掺杂Sn的Ge2Sb2Te5相变材料薄膜,研究了Sn含量对结晶性能的影响. 薄膜的X射线衍射(XRD)表明,热处理使薄膜发生了从非晶态到晶态的相变, 并出现Sn-Te相.通过示差扫描量热(DSC)实验测出在不同加热速率下非晶态薄膜粉末的结晶峰温度,计算了材料的结晶活化能. 根据结晶动力学分析和结晶活化能数据,掺杂Sn后的Ge-S...
Ge衬底上GaInP2 材料的生长研究
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2007/8/20
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备, 在(100)面偏(110)面 9°的Ge单晶衬底上外延生长了GaInP2材料,研究了生长温度 、Ⅴ/Ⅲ比、生长速率等生长参数对GaInP2材料的表面形貌和固相组分的影响.结果表明,当GaInP2材料的生长温度为650～680℃,生长速率为25～35 nm/min,Ⅴ/Ⅲ为180～220时,获得了满足级联电池的GaInP2材料.