搜索结果: 1-15 共查到“工学 SiC”相关记录384条 . 查询时间(0.213 秒)
一种采用柔性缓冲垫块的双面散热SiC MOSFET双向开关模块研究
双面散热 双向开关SiC模块 热-机械应力 杨氏模量
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2024/3/5
随着功率模块朝着高温、高功率、高密度方向发展,这对模块的封装结构提出了新的要求。较传统的引线键合结构,双面散热结构由于具有高散热能力和低寄生电感等特点受到广泛关注。但是双面散热结构材料间热膨胀系数的差异使之承受较大的热-机械应力,降低了功率模块的可靠性。因此,为设计具有低热-机械应力双面散热双向开关,本研究首先使用仿真分析了芯片布局对模块散热性能以及寄生电感的影响,在此基础上提出了一种具有低杨氏模...
SiC MOSFET高温栅氧可靠性研究
SiC MOSFET 可靠性 栅氧 高温栅偏
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2024/3/5
碳化硅SiC(silicon carbide)具有优良的电学和热学特性,是一种前景广阔的宽禁带半导体材料。SiC材料制成的功率MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)非常适合应用于大功率领域,而高温栅氧可靠性是大功率MOSFET最需要关注的特性之一。通过正压高温栅偏试验和负压高温栅偏试验对比了自研SiC MOSFET和国外同...
中国科学院大连化学物理研究所专利:一种SiC基的新型纳米碳复合材料的制备方法
中国科学院大连化学物理研究所 专利 SiC基 纳米碳复合材料
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2023/12/28
中国科学院大连化学物理研究所专利:一种C-SiC催化剂及其制备和应用
中国科学院大连化学物理研究所 专利 C-SiC催化剂
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2023/12/20
中国科学院金属研究所专利:制备SiC纤维/铝基复合材料的近熔态扩散工艺
中国科学院金属研究所 专利 SiC纤维 铝基复合材料 近熔态 扩散工艺
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2023/12/20
中国科学院金属研究所专利:一种原位反应热压合成TaC-SiC陶瓷复合材料及其合成方法
中国科学院金属研究所 专利 原位反应 热压合成 TaC-SiC 陶瓷复合材料
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2023/12/19
中国科学院金属研究所专利:一种SiC纤维表面复合梯度涂层制备方法
中国科学院金属研究所 专利 SiC纤维 表面复合梯度 涂层
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2023/11/28
中国科学院金属研究所专利:一种SiC纤维表面C/AlN复合梯度涂层制备方法
中国科学院金属研究所 专利 SiC纤维 表面 C/AlN 复合梯度涂层
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2023/11/21
中国科学院金属研究所专利:一种在SiC纤维表面沉积薄膜的装置及方法
中国科学院金属研究所 专利 SiC纤维 表面沉积 薄膜
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2023/10/18
中国科学院金属研究所专利:一种在SiC纤维表面沉积薄膜的装置
中国科学院金属研究所 专利 SiC纤维 表面沉积薄膜
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2023/9/28