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搜索结果: 1-7 共查到工学 Micro-LED相关记录7条 . 查询时间(0.091 秒)
近红外发光(NIR,700-2500 nm)微二极管(micro-LED)在生物传感、虚拟现实/增强现实(VR/AR)、遥感和光通讯等领域具有重要应用价值。传统近红外荧光粉存在颗粒尺寸大、发光效率低、发光稳定性差或含重金属有毒元素(Cd2+和Pb2+)等问题,极大地限制了其在micro-LED领域的应用。因此,发展一类无毒高效的近红外纳米荧光粉具有重大意义。
显示行业发展的过程是不断拔高视觉感官体验阈值的过程,Micro LED凭借其自发光、高效率、低功耗、高稳定等特性,逐渐成为未来显示行业的发展趋势。然而,现阶段Micro LED 仍存在许多技术瓶颈有待突破,其中利用巨量转移方式制作Micro-LED显示屏目前仍主要采用侧向结构Micro-LED芯片,但侧向结构在分辨率和发光面积上有所限制。而垂直结构LED器件相比侧向结构LED在亮度及发光均匀性上更...
Micro-LED具有优越的性能,应用于微型显示器、可见光通信、光学生物芯片、可穿戴设备和生物传感器等领域。目前,Micro-LED显示的技术挑战是如何获得高分辨率和高像素密度。像素尺寸缩小、芯片的周长面积比增大,导致侧壁的表面复合增多,非辐射复合速率变大,从而致使光电效率下降。器件制备过程中的ICP刻蚀,加重了侧壁缺陷。另外,对于磷化Micro-LED,在较高的驱动电流下,热刺激LED的多量子阱...
Micro-LED以其优越的性能被应用于微型显示器、可见光通信、光学生物芯片、可穿戴设备和生物传感器等诸多领域。目前,Micro-LED显示的技术挑战是如何获得高分辨率和高像素密度。由于像素尺寸缩小,芯片的周长面积比增大,导致侧壁的表面复合增多,非辐射复合速率变大,从而导致光电效率下降。器件制备过程中的ICP刻蚀,加重了侧壁缺陷。另外,对于磷化Micro-LED,在较高的驱动电流下,热刺激LED的...
Micro-LED显示技术具有高亮度、高对比度、高分辨率、低功耗、长寿命等优点,被认为是继LCDOLED之后下一代显示技术。然而其大规模商业化还面临着技术不成熟、成本高等难题。其中一个很大的技术瓶颈是如何实现Micro-LED的全彩化。虽然已经有几种巨量转移技术方案比如弹性印章转印、静电转印等来解决这些问题并取得了很大的成功,但制造能满足AR/VR应用的高分辨率全彩Micro-LED显示器仍然是...
近日,由南方科技大学电子系、香港科技大学先进显示与光电子国家重点实验室、中科院苏州纳米所组成的联合攻关团队在深紫外Micro-LED与超宽色域显示技术领域取得进展,相关结果发表于电子领域顶级期刊IEEE Electron Device Letters。
近日,复旦大学信息科学与工程学院副教授田朋飞团队与台湾交通大学、电子科技大学相关团队合作,围绕Micro-LED显示全彩化关键技术撰写综述文章“Growth, transfer printing and colour conversion techniques towards full-colour micro-LED display”(https://doi.org/10.1016/j.pqua...

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