搜索结果: 121-135 共查到“知识库 核仪器、仪表”相关记录570条 . 查询时间(1.556 秒)
RWM-B放射性水连续监测系统
电离室 液态流出物 体积活度
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2009/1/19
设施液态流出物的监测是鉴别核设施生产运行是否处于正常状况不可缺少的有力措施，也是评价核设施辐射安全的重要手段。本工作涉及RWM-B放射性水连续监测仪的研制。该监测系统采用高气压氙气电离室作为探测器，以8051单片计算机作为控制主机，电路上采用弱电流测量方法。如果5min 报告1次数据结果，取95%置信度，在普通天然本底条件下，探测下限则可达到2644Bq/m3。
X射线工业CT散射修正
工业CT 散射光子 软件修正
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2009/1/19
X射线工业CT（ICT）依赖准直器压低散射光子存在实际困难和不足。为解决这一问题，需采用相应的修正软件加以校正。文章从理想的模型出发，近似推导透射式ICT中散射X光子的理论计算公式，并把计算结果与实验结果进行比较。比较结果表明，两者吻合较好。据此，文章给出了散射光子软件修正的可行性方案。
X射线源针孔成像方法可行性研究
X射线源 针孔成像 位置 强度
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2009/1/19
为检验利用针孔成像对X射线源进行研究的可行性，对X射线针孔成像系统进行优化设计，搭建了1套X射线源针孔成像装置。从理论上对X射线源的位置和强度发生变化时图像的相应变化进行了计算和预估，并用实验加以验证。结果表明，像斑中心位置的移动和像斑灰度值的变化分别与X射线源位置和强度的变化在一定范围内存在线性关系，由此证明了利用针孔成像对X射线源进行空间定位及定量研究的可行性。本文结果对X射线源针孔成像的系...
钯钇合金膜分离器的氕氘分离系数测定
分离系数 钯合金膜 氢同位素分离
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2009/1/19
文章设计钯钇合金膜氢同位素分离器，并系统研究分离系数与温度、分流比、气体流速等因素间的关系。研究结果表明：分离系数随温度的增加而下降，在573～723K范围内，对于66.2%H2-33.8%D2气体，当进料流速为5L/min、分流比为0.1时，分离系数由2.09下降至1.85；而当分流比为0.2时，分离系数由1.74下降至1.52。随着分流比的增大，分离系数逐渐降低。在573K下，进料流量为5L...
低能β活度微量热计性能研究
等温双杯量热计 半导体热电偶 电校准
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2009/1/19
研制了10μW级放射性活度微量热计绝对测量装置。进行了等温双杯量热计计体设计和最佳半导体热电偶数目的理论计算及热电偶噪声水平估算，编写了微量热计数据获取和数据处理软件，进行了电热校准实验。对该装置的校准结果表明，在输入15μW电功率条件下，校准不确定度在2%以内。
低压多丝正比室的位置分辨研究
低压多丝正比室 放射性束 位置分辨
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2009/1/19
低压多丝正比室为放射性束核反应的靶前粒子提供位置和时间信号。本工作用241Amα源研究电压、工作气体压强等因素对低压多丝正比室位置分辨的影响。实验结果表明：在不同的气体压强条件下，低压多丝正比室的位置分辨均可达到1mm，但考虑到时间、效率等因素，实验中需尽可能提高气压。
氚气流发生器饱和系数测定
氚气流发生器 饱和系数 不确定度
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2009/1/16
简述了用称重法对氚气流发生器饱和系数的测定，给出了不同流速等条件下失水量的修正及饱和系数的测量结果，并对测量结果不确定度进行了评定。
垂直聚焦单色器的蒙特卡罗模拟计算
中子散射谱仪 蒙特卡罗方法 垂直聚焦单色器
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2009/1/16
利用蒙特卡罗方法对引进的1台粉末衍射仪上的垂直聚焦单色器进行了模拟检验，以得到起实际作用的单色器尺寸，聚焦曲率半径和倾角等参数。计算和对比了使用聚焦单色器和平板单色器的强度增益和样品位置中子强度分布，结果表明：由于前面孔道尺寸的限制，使用垂直聚焦单色器相对于使用平板单色器在样品量多的情况下没有明显的强度增益，只有在所能得到的样品量少的时候使用垂直聚焦单色器才能得到比较显著的
放射性活度计灵敏度曲线测量及应用
HD-175型放射性活度计 电流活度比 灵敏度曲线
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2009/1/16
利用已有标准样品的活度值和放射性活度计测量得到的电流值，在不同能量段对核素分段构造函数，拟合出灵敏度曲线。然后利用灵敏度曲线函数计算出待测核素的电流活度比，从而很好地解决了HD-175型放射性活度计的刻度问题。
符合法原理及其在活度测量中的应用
符合法 放射性活度 概率
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2009/1/16
通过对具体事例分析，概括出符合法的基本原理，并提出了理论上符合方法应遵守的条件。分析和解释放射性活度绝对测量中效率曲线变化的原因、死时间在符合测量中的影响程度等重要问题，为符合法绝对测量放射性活度提供了理论基础。
高分辨micro-SPECT成像系统针孔准直器的优化设计
针孔准直器 单光子发射计算机断层 蒙特卡罗方法
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2009/1/16
高分辨micro-SPECT成像系统针孔准直器的优化设计。
功率MOSFET器件单粒子烧毁252Cf源模拟试验研究
单粒子 MOSFET器件
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2009/1/16
本工作涉及利用252Cf源进行辐射效应试验研究的方法。结合功率MOSFET器件单粒子烧毁测试技术，对功率MOSFET器件辐射效应进行模拟试验研究。研究结果表明：在空间辐射环境下，功率MOSFET器件尽量使用在低电压范围内；在电路设计中附加必要的限流电阻是1种十分有效的抗单粒子烧毁措施。